İçeriğe geç
akaturk Akademik ölçüm
  1. Ana Dal Fen Bilimleri ve Matematik Temel Alanı
  2. Yan Dal Fizik
Anahtar kelimeler YÖKSİS
Makale 15 YÖKSİS 15 · OpenAlex 0 Toplam atıf 260 h-indeks 9 · OpenAlex OpenAlex kapsamı %100 eşleşen 15 / 15 Q1 makale 4 Scopus · WoS Q1 6 En iyi alan sırası #5.648 / 11.969 Ana dal · üst %47,2 Ortak yazar 15 2 Türk kurumu

Atıf etkisi

OpenAlex’te eşleşen makalelerin atıf sayıları, Crossref’ten atıf yapan yayınlar ve Stanford/Elsevier listesi. Kaynaklar ayrı gösterilir, hiçbir zaman toplanmaz.

OpenAlex YÖKSİS makalelerinden OpenAlex’te eşleşen: 15 + YÖKSİS · ortak yazar kaydı: 4
h-indeks 9 Türkiye yüzdelik dilimi: 81 Üniversitesinde h-indekse göre 130. / 1.066
i10-indeks
9
Toplam atıf
260
Türkiye’de üst %21
Makale başına
13,7
FWCI
1,41
1,00 = dünya ortalaması
Dünyada üst %1
0
Dünyada üst %10
2
Nasıl hesaplanır?

h-indeks ve atıflar, bu akademisyenin YÖKSİS makalelerinden OpenAlex’te eşleşenlerin atıf sayılarından hesaplanır (Google Scholar, WoS veya Scopus değildir). Eşleşmeyen makalelerin atıfı dahil değildir. Ortak yazarların YÖKSİS kayıtlarında bu akademisyenin YÖK kimliğiyle etiketlenen 4 makale (4 atıf) yalnızca atıf, h-indeks ve i10 hesabına katılır; makale sayıları, yüzdelik dilimler ve sıralamalar kendi YÖKSİS listesinden hesaplanır. OpenAlex yazar profilindeki h-indeks: 9.

Atıf yapan yayınlar Crossref DOI’li 15 makaleye atıf yapan 53 yayın · 21 Türkiye adresli
  • 2019 10
  • 2020 18
  • 2021 11
  • 2022 6
  • 2025 5
  • 2026 3
  1. DOI 10.1016/j.sse.2025.109282 2026
  2. DOI 10.1016/j.optlaseng.2025.109395 2026
  3. DOI 10.1109/ted.2025.3638294 2026
  4. Analysis of negative capacitance and interface states in MoOx-based n-Ge devices TR Ismail Kabacelik · Modern Physics Letters B · 2025
  5. Tuning electrical performance of Sc2O3/SiO2/Si MOS capacitors through interface and thermal processing TR Muhsin Uğur Doğan · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025 · bu akademisyenin 3 makalesine atıf
  6. DOI 10.1177/00952443251399921 2025
  7. DOI 10.1016/j.crgsc.2025.100491 2025
  8. DOI 10.1007/s10854-025-16067-1 2025
  9. The electrical characteristic of an MIS structure with biocompatible minerals doped (Brushite+Monetite: PVC) interface layer TR M. Ulusoy ve diğ. · Microelectronic Engineering · 2022
  10. DOI 10.1016/j.radphyschem.2021.109835 2022
  11. DOI 10.1016/j.sna.2022.113502 2022
  12. DOI 10.1016/j.cattod.2021.11.040 2022
  13. DOI 10.1007/s11664-021-09391-9 2022
  14. DOI 10.1016/j.jallcom.2021.162740 2022
  15. The relationship between structural and electrical properties of the post-deposition annealed Er2O3/n-Si hetero-structures TR Aysegul Kahraman ve diğ. · Materials Science in Semiconductor Processing · 2021
  16. Effect of oxide and interface traps on electrical characteristics of post-deposition annealed HfSiO 4 /n-Si structures TR Aysegul Kahraman ve diğ. · Semiconductor Science and Technology · 2021 · bu akademisyenin 4 makalesine atıf
  17. DOI 10.1021/acsami.1c13633 2021 · bu akademisyenin 2 makalesine atıf
  18. DOI 10.1016/j.mseb.2020.114999 2021
  19. DOI 10.1049/mna2.12011 2021
  20. DOI 10.3390/micromachines2021-09543 2021
  21. DOI 10.1016/j.ceramint.2020.09.211 2021
  22. DOI 10.1063/5.0048080 2021
  23. DOI 10.3390/mi12060661 2021
  24. DOI 10.1007/s10854-021-05771-3 2021 · bu akademisyenin 2 makalesine atıf
  25. DOI 10.1007/s11837-021-04986-3 2021
  26. Influence of frequency and gamma irradiation on the electrical characteristics of Er2O3, Gd2O3, Yb2O3, and HfO2 MOS-based devices TR Aysegul Kahraman ve diğ. · Journal of Materials Science · 2020 · bu akademisyenin 4 makalesine atıf
  27. Impact and origin of the oxide-interface traps in Al/Yb2O3/n-Si/Al on the electrical characteristics TR Aysegul Kahraman ve diğ. · Journal of Alloys and Compounds · 2020
  28. Structural characterization and electrical properties of Nd2O3 by sol–gel method TR Ramazan Lok ve diğ. · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2020
  29. Determination of frequency and voltage dependence of electrical properties of Al/(Er2O3/SiO2/n-Si)/Al MOS capacitor TR Aliekber Aktağ ve diğ. · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2020 · bu akademisyenin 2 makalesine atıf
  30. Co-60 gamma radiation influences on the electrochemical, physical and electrical characteristics rare-earth dysprosium oxide (Dy2O3) TR Umutcan Gurer ve diğ. · Radiation Physics and Chemistry · 2020

En yeni 30 yayın gösteriliyor.

Bu liste nereden geliyor?

Crossref’in kamuya açık Mart 2026 veri dökümündeki referans listelerinden çıkarılmıştır; dökümün %20.3’i işlenmiştir, bu yüzden liste eksik olabilir. Crossref atıfları OpenAlex atıf sayılarıyla toplanmaz ve karşılaştırılmaz; iki kaynağın kapsamı farklıdır.

Alan sıralaması

YÖKSİS makale puanına göre ana dal, yan dal ve anahtar kelime kohortlarındaki yeri; her kart o sıralama sayfasına gider.

Çalışmalar 15

YÖKSİS ve OpenAlex kayıtları: dizin dağılımı, yayın yapılan dergiler, daraltılabilir makale listesi ve diğer çıktı türleri.

Dizinler ve atıf yüzdelikleri

?
TR Index 1 makale
OpenAlex atıf yüzdelik
Üst %10
Üst %102
Ort. · n 15 %76,0
Diğer sayımlar

Scopus (SJR)

  • YÖKSİS satırı 14

WoS (JCR)

  • YÖKSİS satırı 14

Makaleler

YÖKSİS ve OpenAlex kaynak ayrımıyla makaleler; quartile ve TR Index ile daraltabilirsiniz.

15makale

Yayını olan dergiler

9 dergi

Daralt

Scopus (SJR)
Q14 Q210 Q30 Q40
WoS (JCR)
Q16 Q26 Q32 Q40
TR Index

Makale listesi

  1. 2025 Annealing and radiation effects on electrical properties of ALD-grown Al2O3 MOSCAPs: insights from C–V and G–V measurements Journal of Materials Science: Materials in Electronics DOI 10.1007/s10854-025-14961-2 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q2 OpenAlex 69.7%
  2. 2025 Gamma radiation-induced modifications in structural, optical, and electrical characteristics of p-NiO/n-Si heterojunction diodes Radiation Physics and Chemistry DOI 10.1016/j.radphyschem.2025.112519 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q1 OpenAlex üst %10 OpenAlex 90.6%
  3. 2025 The Effects of Temperature and Frequency on the Electrical and Dielectric Properties of Al2O3 Structure Silicon DOI 10.1007/s12633-025-03329-0 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q2 OpenAlex üst %10 OpenAlex 98.5%
  4. 2025 Optical and structural insights into Ta2O5/n-Si heterojunctions: detailed characterization and material properties Ceramics International DOI 10.1016/j.ceramint.2025.06.247 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q1 OpenAlex 84.1%
  5. 2024 Investigation of Interface States, Series Resistance and Barrier Height Variation with Frequency in Al/WO3/p-Si (MOS) Capacitors Iğdır Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi DOI 10.21597/jist.1529537 YÖKSİS TR Index OpenAlex 48.0%
  6. 2022 Effect of high-radiation-dose-induced structural modifications of HfSiO4/n-Si on electrical characteristics Radiation Physics and Chemistry DOI 10.1016/j.radphyschem.2022.110138 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q1 OpenAlex 60.7%
  7. 2022 Fabrication and characterization of resistance temperature detector by smart mask design The International Journal of Advanced Manufacturing Technology DOI 10.1007/s00170-022-09041-2 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q2 OpenAlex 69.9%
  8. 2020 Structural characterization and electrical properties of Nd2O3by sol–gel method JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS DOI 10854-020-02857-2 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q3 OpenAlex 79.4%
  9. 2020 Radiation response of zirconium silicate P-MOS capacitor MICROELECTRONICS RELIABILITY DOI 10.1016/j.microrel.2020.113663 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q3 OpenAlex 55.9%
  10. 2018 Co-60 gamma irradiation influences on physical, chemical and electrical characteristics of HfO2/Si thin films Radiation Physics and Chemistry DOI 10.1016/j.radphyschem.2018.04.023 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q1 OpenAlex 75.5%
  11. 2018 Impact of interfacial layer using ultra-thin SiO2 on electrical and structural characteristics of Gd2O3 MOS capacitor Journal of Materials Science: Materials in Electronics DOI 10.1007/s10854-018-9847-9 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q2 OpenAlex 78.1%
  12. 2018 Thermal phase separation of ZrSiO4 thin films and frequency- dependent electrical characteristics of the Al/ZrSiO4 /p-Si/Al MOS capacitors Semiconductor Science and Technology DOI 10.1088/1361-6641/aabb68 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q2 OpenAlex 75.1%
  13. 2017 The Co-60 gamma-ray irradiation effects on the Al/HfSiO 4 /p-Si/Al MOS capacitors Radiation Physics and Chemistry DOI 10.1016/j.radphyschem.2017.06.019 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q1 OpenAlex 82.1%
  14. 2016 A detailed study on the frequency dependent electrical characteristics of Al HfSiO4 p Si MOS capacitors Journal of Materials Science: Materials in Electronics DOI 10.1007/s10854-016-5461-x YÖKSİS SJR Q2 JCR Q2 OpenAlex 86.9%
  15. 2014 Frequency dependent electrical characteristics of BiFeO3 MOS capacitors Journal of Alloys and Compounds DOI 10.1016/j.jallcom.2013.08.204 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q1 OpenAlex 85.6%

Projeler 21 Tümünü gör (21) →

  1. 2017 Foto Dedektör Uygulamaları için PIN Fotodiyotların Üretimi ve Karakterizasyonu Yükseköğretim Kurumları tarafından destekli bilimsel araştırma projesi · Tamamlandı 2017-03-15 – 2018-06-15
  2. 2016 HfZrO2 Dielektrik Filmlerin Radyasyon Tepkisi ve Radyasyon Sensörlerinde Kullanımının Araştırılması Yükseköğretim Kurumları tarafından destekli bilimsel araştırma projesi · Tamamlandı 2016-11-07 – 2017-11-07
  3. 2018 GAZ SENSÖRÜ UYGULAMALARI İÇİN TİTANYUM OKSİT METAL OKSİT YARIİLETKEN İNCE FİLMLERİN ÜRETİMİ VE AYGIT OPTİMİZASYONLARI Yükseköğretim Kurumları tarafından destekli bilimsel araştırma projesi · Tamamlandı 2018-12-25 – 2020-03-25
  4. 2016 Yerli Aktif Radyasyon Sensörlerinin Üretimi,Geliştirilmesi ve Karakterizasyon test Merkezinin Güçlendirilmesi. Diğer kamu kuruluşları (Yükseköğretim Kurumları hariç) · Tamamlandı 2016-09-29 – 2018-03-30
  5. 2012 Nükleer Radyasyon Detektörleri Araştırma ve Geliştirme Merkezi Projesi Kalkınma Bakanlığı · Tamamlandı 2012-01-01 – 2015-12-31

Bildiriler 37 Tümünü gör (37) →

  1. 2019 Si-Based Solar Cell Fabrication and Characterizations 2nd International Conference on Energy Research ENRES 2019
  2. 2019 A 3kwh Photovoltaic Module Construction for Outdoor Applications 2nd International Conference on Energy Research ENRES 2019
  3. 2020 Lowering Synthesis Temperature of HBN by Improvement of Precusrsor International Conference on Radiation Applications (RAP2020)
  4. 2019 Influences of gate oxide thickness on the irradiation sensivity of the NürFET dosimeter. 5th International Conference on Theorical and Experimental Studies in Nuclear Application and Technology (TESNAT)
  5. 2025 Using the potential of nano-tubes as GEM-holes 8th International Conference on Micro Pattern Gaseous Detectors

← Akademisyenlere dön

İşbirliği ağı

YÖKSİS eser kayıtlarındaki yazar listelerinden. Aynı eserin mükerrer kayıtları bir kez sayılır; kurumlar ortak yazarların YÖKSİS’teki güncel kurumudur.

Ortak yazar
15
akaturk profili olan
10
Ulusal kurum
2
Ortak yazarlı eser
%73

Ortak çalıştığı akademisyenler 10

  1. ERCAN YILMAZ Profesör · Bolu Abant İzzet Baysal Üniversitesi aynı üniversite 10
  2. ŞENOL KAYA Doçent · Bolu Abant İzzet Baysal Üniversitesi aynı üniversite 7
  3. HÜSEYİN KARAÇALI Profesör · Bolu Abant İzzet Baysal Üniversitesi aynı üniversite 3
  4. AYŞEGÜL KAHRAMAN Profesör · Bursa Uludağ Üniversitesi 2
  5. ERHAN BUDAK Doçent · Bolu Abant İzzet Baysal Üniversitesi aynı üniversite 2
  6. ALİEKBER AKTAĞ Profesör · Bolu Abant İzzet Baysal Üniversitesi aynı üniversite 1
  7. CABİR TERZİOĞLU Profesör · Bolu Abant İzzet Baysal Üniversitesi aynı üniversite 1
  8. MUHSİN UĞUR DOĞAN Doçent · Bolu Abant İzzet Baysal Üniversitesi aynı üniversite 1
  9. UĞUR SOYKAN Doçent · Bolu Abant İzzet Baysal Üniversitesi aynı üniversite 1
  10. İLKER YILDIZ Doçent · Orta Doğu Teknik Üniversitesi 1

Ulusal işbirliği 2 kurum

Kurum içi11 ortak eser · Bolu Abant İzzet Baysal Üniversitesi

  1. Bursa Uludağ Üniversitesi 2 eser · 1 akademisyen
  2. Orta Doğu Teknik Üniversitesi 1 eser · 1 akademisyen

Diğer ortak yazarlar (yabancı yazarlar dahil) 5

ALEX MUTALEALİ VAROLUmutcan GürerUĞUR CAMLIjan seidel

akaturk profili olmayan yazarlar (yabancı araştırmacılar, emekli/ayrılmış akademisyenler, öğrenciler, klinisyenler) isim yazımına göre birleştirilir; “Güllüce M.” gibi kısaltmalar tek bir tam adla eşleşiyorsa o kişiye eklenir.