- Ana Dal Fen Bilimleri ve Matematik Temel Alanı
- Yan Dal Fizik
Atıf etkisi
OpenAlex’te eşleşen makalelerin atıf sayıları, Crossref’ten atıf yapan yayınlar ve Stanford/Elsevier listesi. Kaynaklar ayrı gösterilir, hiçbir zaman toplanmaz.
- i10-indeks
- 9
- Toplam atıf
- 260 Türkiye’de üst %21
- Makale başına
- 13,7
- FWCI
- 1,41 1,00 = dünya ortalaması
- Dünyada üst %1
- 0
- Dünyada üst %10
- 2
En çok atıf alan makaleleri
Nasıl hesaplanır?
h-indeks ve atıflar, bu akademisyenin YÖKSİS makalelerinden OpenAlex’te eşleşenlerin atıf sayılarından hesaplanır (Google Scholar, WoS veya Scopus değildir). Eşleşmeyen makalelerin atıfı dahil değildir. Ortak yazarların YÖKSİS kayıtlarında bu akademisyenin YÖK kimliğiyle etiketlenen 4 makale (4 atıf) yalnızca atıf, h-indeks ve i10 hesabına katılır; makale sayıları, yüzdelik dilimler ve sıralamalar kendi YÖKSİS listesinden hesaplanır. OpenAlex yazar profilindeki h-indeks: 9.
Atıf yapan yayınlar Crossref DOI’li 15 makaleye atıf yapan 53 yayın · 21 Türkiye adresli
- 2019 10
- 2020 18
- 2021 11
- 2022 6
- 2025 5
- 2026 3
- DOI 10.1016/j.sse.2025.109282 2026
- DOI 10.1016/j.optlaseng.2025.109395 2026
- DOI 10.1109/ted.2025.3638294 2026
- Analysis of negative capacitance and interface states in MoOx-based n-Ge devices TR Ismail Kabacelik · Modern Physics Letters B · 2025
- Tuning electrical performance of Sc2O3/SiO2/Si MOS capacitors through interface and thermal processing TR Muhsin Uğur Doğan · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025 · bu akademisyenin 3 makalesine atıf
- DOI 10.1177/00952443251399921 2025
- DOI 10.1016/j.crgsc.2025.100491 2025
- DOI 10.1007/s10854-025-16067-1 2025
- The electrical characteristic of an MIS structure with biocompatible minerals doped (Brushite+Monetite: PVC) interface layer TR M. Ulusoy ve diğ. · Microelectronic Engineering · 2022
- DOI 10.1016/j.radphyschem.2021.109835 2022
- DOI 10.1016/j.sna.2022.113502 2022
- DOI 10.1016/j.cattod.2021.11.040 2022
- DOI 10.1007/s11664-021-09391-9 2022
- DOI 10.1016/j.jallcom.2021.162740 2022
- The relationship between structural and electrical properties of the post-deposition annealed Er2O3/n-Si hetero-structures TR Aysegul Kahraman ve diğ. · Materials Science in Semiconductor Processing · 2021
- Effect of oxide and interface traps on electrical characteristics of post-deposition annealed HfSiO 4 /n-Si structures TR Aysegul Kahraman ve diğ. · Semiconductor Science and Technology · 2021 · bu akademisyenin 4 makalesine atıf
- DOI 10.1021/acsami.1c13633 2021 · bu akademisyenin 2 makalesine atıf
- DOI 10.1016/j.mseb.2020.114999 2021
- DOI 10.1049/mna2.12011 2021
- DOI 10.3390/micromachines2021-09543 2021
- DOI 10.1016/j.ceramint.2020.09.211 2021
- DOI 10.1063/5.0048080 2021
- DOI 10.3390/mi12060661 2021
- DOI 10.1007/s10854-021-05771-3 2021 · bu akademisyenin 2 makalesine atıf
- DOI 10.1007/s11837-021-04986-3 2021
- Influence of frequency and gamma irradiation on the electrical characteristics of Er2O3, Gd2O3, Yb2O3, and HfO2 MOS-based devices TR Aysegul Kahraman ve diğ. · Journal of Materials Science · 2020 · bu akademisyenin 4 makalesine atıf
- Impact and origin of the oxide-interface traps in Al/Yb2O3/n-Si/Al on the electrical characteristics TR Aysegul Kahraman ve diğ. · Journal of Alloys and Compounds · 2020
- Structural characterization and electrical properties of Nd2O3 by sol–gel method TR Ramazan Lok ve diğ. · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2020
- Determination of frequency and voltage dependence of electrical properties of Al/(Er2O3/SiO2/n-Si)/Al MOS capacitor TR Aliekber Aktağ ve diğ. · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2020 · bu akademisyenin 2 makalesine atıf
- Co-60 gamma radiation influences on the electrochemical, physical and electrical characteristics rare-earth dysprosium oxide (Dy2O3) TR Umutcan Gurer ve diğ. · Radiation Physics and Chemistry · 2020
En yeni 30 yayın gösteriliyor.
Bu liste nereden geliyor?
Crossref’in kamuya açık Mart 2026 veri dökümündeki referans listelerinden çıkarılmıştır; dökümün %20.3’i işlenmiştir, bu yüzden liste eksik olabilir. Crossref atıfları OpenAlex atıf sayılarıyla toplanmaz ve karşılaştırılmaz; iki kaynağın kapsamı farklıdır.
Alan sıralaması
YÖKSİS makale puanına göre ana dal, yan dal ve anahtar kelime kohortlarındaki yeri; her kart o sıralama sayfasına gider.
-
Ana dal Fen Bilimleri ve Matematik Temel AlanıPuan sırası #5.648/ 11.969 üst %47,2 Üniversitede #41/ 79Puan 13,5 dergi 13 · OA ek 0,5
- Makale sırası7.178/11.969
- Scopus sırası5.628/11.969
- WoS sırası5.478/11.969
- YÖKSİS15
- Scopus14
- WoS14
-
Yan dal FizikPuan sırası #1.363/ 2.615 üst %52,1 Üniversitede #15/ 20Puan 13,5 dergi 13 · OA ek 0,5
- Makale sırası1.577/2.615
- Scopus sırası1.349/2.615
- WoS sırası1.340/2.615
- YÖKSİS15
- Scopus14
- WoS14
Anahtar kelime sıralamaları 1
Çalışmalar 15
YÖKSİS ve OpenAlex kayıtları: dizin dağılımı, yayın yapılan dergiler, daraltılabilir makale listesi ve diğer çıktı türleri.
Dizinler ve atıf yüzdelikleri
?Diğer sayımlar
Scopus (SJR)
- YÖKSİS satırı 14
WoS (JCR)
- YÖKSİS satırı 14
Makaleler
YÖKSİS ve OpenAlex kaynak ayrımıyla makaleler; quartile ve TR Index ile daraltabilirsiniz.
Yayını olan dergiler
9 dergi
- Journal of Materials Science: Materials in Electronics 4
- Radiation Physics and Chemistry 4
- ISSN 2536-4618 1
- Ceramics International 1
- International Journal of Advanced Manufacturing Technology 1
- Journal of Alloys and Compounds 1
- Microelectronics Reliability 1
- Semiconductor Science and Technology 1
- Silicon 1
Daralt
Makale listesi
- 2025 Annealing and radiation effects on electrical properties of ALD-grown Al2O3 MOSCAPs: insights from C–V and G–V measurements YÖKSİS SJR Q2 JCR Q2 OpenAlex 69.7%
- 2025 Gamma radiation-induced modifications in structural, optical, and electrical characteristics of p-NiO/n-Si heterojunction diodes YÖKSİS SJR Q2 JCR Q1 OpenAlex üst %10 OpenAlex 90.6%
- 2025 The Effects of Temperature and Frequency on the Electrical and Dielectric Properties of Al2O3 Structure YÖKSİS SJR Q2 JCR Q2 OpenAlex üst %10 OpenAlex 98.5%
- 2025 Optical and structural insights into Ta2O5/n-Si heterojunctions: detailed characterization and material properties YÖKSİS SJR Q1 JCR Q1 OpenAlex 84.1%
- 2024 Investigation of Interface States, Series Resistance and Barrier Height Variation with Frequency in Al/WO3/p-Si (MOS) Capacitors YÖKSİS TR Index OpenAlex 48.0%
- 2022 Effect of high-radiation-dose-induced structural modifications of HfSiO4/n-Si on electrical characteristics YÖKSİS SJR Q2 JCR Q1 OpenAlex 60.7%
- 2022 Fabrication and characterization of resistance temperature detector by smart mask design YÖKSİS SJR Q1 JCR Q2 OpenAlex 69.9%
- 2020 Structural characterization and electrical properties of Nd2O3by sol–gel method YÖKSİS SJR Q2 JCR Q3 OpenAlex 79.4%
- 2020 Radiation response of zirconium silicate P-MOS capacitor YÖKSİS SJR Q2 JCR Q3 OpenAlex 55.9%
- 2018 Co-60 gamma irradiation influences on physical, chemical and electrical characteristics of HfO2/Si thin films YÖKSİS SJR Q2 JCR Q1 OpenAlex 75.5%
- 2018 Impact of interfacial layer using ultra-thin SiO2 on electrical and structural characteristics of Gd2O3 MOS capacitor YÖKSİS SJR Q2 JCR Q2 OpenAlex 78.1%
- 2018 Thermal phase separation of ZrSiO4 thin films and frequency- dependent electrical characteristics of the Al/ZrSiO4 /p-Si/Al MOS capacitors YÖKSİS SJR Q1 JCR Q2 OpenAlex 75.1%
- 2017 The Co-60 gamma-ray irradiation effects on the Al/HfSiO 4 /p-Si/Al MOS capacitors YÖKSİS SJR Q2 JCR Q1 OpenAlex 82.1%
- 2016 A detailed study on the frequency dependent electrical characteristics of Al HfSiO4 p Si MOS capacitors YÖKSİS SJR Q2 JCR Q2 OpenAlex 86.9%
- 2014 Frequency dependent electrical characteristics of BiFeO3 MOS capacitors YÖKSİS SJR Q1 JCR Q1 OpenAlex 85.6%
Projeler 21 Tümünü gör (21) →
-
2017 Foto Dedektör Uygulamaları için PIN Fotodiyotların Üretimi ve Karakterizasyonu
-
2016 HfZrO2 Dielektrik Filmlerin Radyasyon Tepkisi ve Radyasyon Sensörlerinde Kullanımının Araştırılması
-
2018 GAZ SENSÖRÜ UYGULAMALARI İÇİN TİTANYUM OKSİT METAL OKSİT YARIİLETKEN İNCE FİLMLERİN ÜRETİMİ VE AYGIT OPTİMİZASYONLARI
-
2016 Yerli Aktif Radyasyon Sensörlerinin Üretimi,Geliştirilmesi ve Karakterizasyon test Merkezinin Güçlendirilmesi.
-
2012 Nükleer Radyasyon Detektörleri Araştırma ve Geliştirme Merkezi Projesi
Bildiriler 37 Tümünü gör (37) →
-
2019 Si-Based Solar Cell Fabrication and Characterizations
-
2019 A 3kwh Photovoltaic Module Construction for Outdoor Applications
-
2020 Lowering Synthesis Temperature of HBN by Improvement of Precusrsor
-
2019 Influences of gate oxide thickness on the irradiation sensivity of the NürFET dosimeter.
-
2025 Using the potential of nano-tubes as GEM-holes
İşbirliği ağı
YÖKSİS eser kayıtlarındaki yazar listelerinden. Aynı eserin mükerrer kayıtları bir kez sayılır; kurumlar ortak yazarların YÖKSİS’teki güncel kurumudur.
- Ortak yazar
- 15
- akaturk profili olan
- 10
- Ulusal kurum
- 2
- Ortak yazarlı eser
- %73
Ortak çalıştığı akademisyenler 10
- ERCAN YILMAZ Profesör · Bolu Abant İzzet Baysal Üniversitesi aynı üniversite 10
- ŞENOL KAYA Doçent · Bolu Abant İzzet Baysal Üniversitesi aynı üniversite 7
- HÜSEYİN KARAÇALI Profesör · Bolu Abant İzzet Baysal Üniversitesi aynı üniversite 3
- AYŞEGÜL KAHRAMAN Profesör · Bursa Uludağ Üniversitesi 2
- ERHAN BUDAK Doçent · Bolu Abant İzzet Baysal Üniversitesi aynı üniversite 2
- ALİEKBER AKTAĞ Profesör · Bolu Abant İzzet Baysal Üniversitesi aynı üniversite 1
- CABİR TERZİOĞLU Profesör · Bolu Abant İzzet Baysal Üniversitesi aynı üniversite 1
- MUHSİN UĞUR DOĞAN Doçent · Bolu Abant İzzet Baysal Üniversitesi aynı üniversite 1
- UĞUR SOYKAN Doçent · Bolu Abant İzzet Baysal Üniversitesi aynı üniversite 1
- İLKER YILDIZ Doçent · Orta Doğu Teknik Üniversitesi 1
Ulusal işbirliği 2 kurum
Kurum içi11 ortak eser · Bolu Abant İzzet Baysal Üniversitesi
- Bursa Uludağ Üniversitesi 2 eser · 1 akademisyen
- Orta Doğu Teknik Üniversitesi 1 eser · 1 akademisyen
Diğer ortak yazarlar (yabancı yazarlar dahil) 5
ALEX MUTALEALİ VAROLUmutcan GürerUĞUR CAMLIjan seidel
akaturk profili olmayan yazarlar (yabancı araştırmacılar, emekli/ayrılmış akademisyenler, öğrenciler, klinisyenler) isim yazımına göre birleştirilir; “Güllüce M.” gibi kısaltmalar tek bir tam adla eşleşiyorsa o kişiye eklenir.