İçeriğe geç
akaturk Akademik ölçüm
Giriş yap Kayıt ol

Akademisyen

AYŞEGÜL KAHRAMAN

Profesör

Bursa Uludağ Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü

Araştırma konuları OpenAlex
  1. Ana Dal Fen Bilimleri ve Matematik Temel Alanı
  2. Yan Dal Fizik
Anahtar kelimeler YÖKSİS
Makale 42 YÖKSİS 42 · OpenAlex 0 Toplam atıf 546 h-indeks 13 · OpenAlex Q1 makale 9 Scopus · WoS Q1 9 En iyi alan sırası #54 / 340 Anahtar kelime · üst %15,9 Ortak yazar 51 3 Türk kurumu

Atıf etkisi

OpenAlex YÖKSİS makalelerinden OpenAlex’te eşleşen: 39 + YÖKSİS · ortak yazar kaydı: 3
h-indeks 13 Türkiye yüzdelik dilimi: 91 Üniversitesinde h-indekse göre 156. / 1.670
i10-indeks
17
Toplam atıf
546
Türkiye’de üst %10
Makale başına
13,0
FWCI
1,14
1,00 = dünya ortalaması
Dünyada üst %1
0
Dünyada üst %10
4

En çok atıf alan makaleleri

  1. Influence of frequency and gamma irradiation on the electrical characteristics of Er2O3, Gd2O3, Yb2O3, and HfO2 MOS-based devices 2020 46 atıf
  2. Effects of post deposition annealing, interface states and series resistance on electrical characteristics of HfO2 MOS capacitors 2015 dünyada üst %10 44 atıf
  3. Evaluation of Radiation Sensor Aspects of Er2O3 MOS Capacitors under Zero Gate Bias 2016 43 atıf
Nasıl hesaplanır?

h-indeks ve atıflar, bu akademisyenin YÖKSİS makalelerinden OpenAlex’te eşleşenlerin atıf sayılarından hesaplanır (Google Scholar, WoS veya Scopus değildir). Eşleşmeyen makalelerin atıfı dahil değildir. Ortak yazarların YÖKSİS kayıtlarında bu akademisyenin YÖK kimliğiyle etiketlenen 3 makale (6 atıf) yalnızca atıf, h-indeks ve i10 hesabına katılır; makale sayıları, yüzdelik dilimler ve sıralamalar kendi YÖKSİS listesinden hesaplanır. OpenAlex yazar profilindeki h-indeks: 14.

Alan sıralaması

YÖKSİS ?
Anahtar kelime sıralamaları 3

İşbirliği ağı

YÖKSİS eser kayıtlarındaki yazar listelerinden. Aynı eserin mükerrer kayıtları bir kez sayılır; kurumlar ortak yazarların YÖKSİS’teki güncel kurumudur.

Ortak yazar
51
akaturk profili olan
12
Ulusal kurum
3
Ortak yazarlı eser
%98

Ortak çalıştığı akademisyenler 12

  1. ERCAN YILMAZ Profesör · Bolu Abant İzzet Baysal Üniversitesi 28
  2. GİZEM AKKAYA Doçent · Bursa Uludağ Üniversitesi aynı üniversite 7
  3. ALİEKBER AKTAĞ Profesör · Bolu Abant İzzet Baysal Üniversitesi 6
  4. ORHAN GÜRLER Profesör · Bursa Uludağ Üniversitesi aynı üniversite 6
  5. ŞENOL KAYA Doçent · Bolu Abant İzzet Baysal Üniversitesi 6
  6. ABDULLAH KORAY Doçent · Zonguldak Bülent Ecevit Üniversitesi 4
  7. ERHAN BUDAK Doçent · Bolu Abant İzzet Baysal Üniversitesi 4
  8. HÜSEYİN KARAÇALI Profesör · Bolu Abant İzzet Baysal Üniversitesi 4
  9. RAMAZAN LÖK Doçent · Bolu Abant İzzet Baysal Üniversitesi 2
  10. ÜRKİYE AKAR TARIM Doçent · Bursa Uludağ Üniversitesi aynı üniversite 2
Tümünü göster (12)
  1. RAŞİT TURAN Profesör · Orta Doğu Teknik Üniversitesi 1
  2. RIDVAN BALDIK Profesör · Zonguldak Bülent Ecevit Üniversitesi 1

Ulusal işbirliği 3 kurum

Kurum içi11 ortak eser · Bursa Uludağ Üniversitesi

  1. Bolu Abant İzzet Baysal Üniversitesi 28 eser · 6 akademisyen
  2. Zonguldak Bülent Ecevit Üniversitesi 4 eser · 2 akademisyen
  3. Orta Doğu Teknik Üniversitesi 1 eser · 1 akademisyen

Diğer ortak yazarlar (yabancı yazarlar dahil) 39

ZEKİ GÖKAY KAYNAK 12BERK MORKOÇ 6UMUTCAN GURER 6OZAN YILMAZ 5SEZAİ YALÇIN 5ÖZCAN GÜNDOĞDU 4Alex Mutale 3A SADIGOV 2ALEKSANDAR JAKSIC 2Danijel Dankovic 2Dinçer YEĞEN 2Emre Doğancı 2FARID AHMADOV 2Goran Ristic 2Miloš Marjanovic 2POFFIJN ANDRE 2Sandra Veljkovic 2A LyubchykA MammadliEMİN NURHAN ÖZMUTLUF MAMEDOVGURBAN AHMADOVHaodong WangJ ZICHM HOLIKMc Garrigle AMMeixin FengNikola MitrovicNikola VasovicO URBANP PRIDALQian SunR AKBAROVS LyubchykS NURUYEVSeetharama C DeeviStefan D. IlicZ SADYGOVŞULE ÖZTÜRK

akaturk profili olmayan yazarlar (yabancı araştırmacılar, emekli/ayrılmış akademisyenler, öğrenciler, klinisyenler) isim yazımına göre birleştirilir; “Güllüce M.” gibi kısaltmalar tek bir tam adla eşleşiyorsa o kişiye eklenir.

Dizinler ve atıf yüzdelikleri

?
TR Index 1 makale
OpenAlex atıf yüzdelik
Üst %10
Üst %104
Ort. · n 39 %66,5
Diğer sayımlar

Scopus (SJR)

  • YÖKSİS satırı 34

WoS (JCR)

  • YÖKSİS satırı 32

Makaleler

YÖKSİS ve OpenAlex kaynak ayrımıyla makaleler; quartile ve TR Index ile daraltabilirsiniz.

42makale

Yayını olan dergiler

26 dergi

Daralt

Scopus (SJR)
Q19 Q218 Q35 Q42
WoS (JCR)
Q19 Q213 Q35 Q45
TR Index
1makale

Makale listesi

  1. 2025 The SPICE Modeling of a Radiation Sensor Based on a MOSFET with a Dielectric HfO2/SiO2 Double-Layer Sensors DOI 10.3390/s25020546 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q2 OpenAlex 78.0%
  2. 2025 High-Speed Ultraviolet Photodetector Based on p-GaN Gate HEMT for Flame Monitoring IEEE Transactions on Electron Devices DOI 10.1109/TED.2025.3539636 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q2 OpenAlex üst %10 OpenAlex 96.6%
  3. 2025 Proposal of dual-gate oxide layered with HfO2: Comparative results with SiO2-RadFET Radiation Physics and Chemistry DOI 10.1016/j.radphyschem.2025.112691 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q1 OpenAlex 46.8%
  4. 2022 Effect of high-radiation-dose-induced structural modifications of HfSiO4/n-Si on electrical characteristics Elsevier BV DOI 10.1016/j.radphyschem.2022.110138 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q1 OpenAlex 60.7%
  5. 2022 Investigation of parameters of new MAPD-3NM silicon photomultipliers Journal of Instrumentation DOI 10.1088/1748-0221/17/01/C01001 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q4 OpenAlex üst %10 OpenAlex 96.9%
  6. 2022 Post-deposition annealing effect on the structural and electrical properties of ytterbium oxide as an alternative gate dielectric Materials Chemistry and Physics DOI 10.1016/j.matchemphys.2022.126875 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q2 OpenAlex 59.3%
  7. 2021 The relationship between structural and electrical properties of the post-deposition annealed Er2O3/n-Si hetero-structures Materials Science in Semiconductor Processing DOI 10.1016/j.mssp.2021.105819 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q2 OpenAlex 52.2%
  8. 2021 Effects of the oxide/interface traps on the electrical characteristics in Al/Yb2O3/SiO2/n-Si/Al MOS capacitors Journal of Materials Science: Materials in Electronics DOI 10.1007/s10854-021-05588-0 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q2 OpenAlex 66.5%
  9. 2021 Effect of oxide and interface traps on electrical characteristics of post-deposition annealed HfSiO4/n-Si structures Semiconductor Science and Technology DOI 10.1088/1361-6641/abe31b YÖKSİS SJR Q2 JCR Q3 OpenAlex 47.8%
  10. 2021 Dose responses of the SiO2 used in radiation sensors in field effect transistor form Journal of Bionic Memory DOI http://www.jbionicmemory.com/index.php/jbm/issue/archive YÖKSİS OpenAlex 37.4%
  11. 2020 Influence of frequency and gamma irradiation on the electrical characteristics of Er2O3, Gd2O3, Yb2O3, and HfO2 MOS-based devices Journal of Materials Science DOI 10.1007/s10853-020-04531-8 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q2 OpenAlex 88.7%
  12. 2020 Impact and origin of the oxide-interface traps in Al/Yb2O3/n-Si/Al on the electrical characteristics Journal of Alloys and Compounds DOI 10.1016/j.jallcom.2020.154171 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q1 OpenAlex 87.4%
  13. 2020 The effect and nature of the radiation induced oxide-interface traps on the performance of the Yb2O3 MOS device Radiation Physics and Chemistry DOI 10.1016/j.radphyschem.2020.109135 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q1 OpenAlex 65.3%
  14. 2019 Electrical Parameters of the Erbium Oxide MOS Capacitor for Different Frequencies Celal Bayar Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi DOI 10.18466/cbayarfbe.460022 YÖKSİS TR Index OpenAlex 69.8%
  15. 2019 EVALUATION OF THE RadFET RADIATION SENSOR PERFORMANCE IN 18 MV-EXTERNAL BEAM Uludağ University Journal of The Faculty of Engineering DOI 10.17482/uumfd.558166 YÖKSİS OpenAlex 12.4%
  16. 2018 A comprehensive study on usage of Gd2O3 dielectric in MOS based radiation sensors considering frequency dependent radiation response Radiation Physics and Chemistry DOI 10.1016/j.radphyschem.2018.07.017 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q1 OpenAlex 71.9%
  17. 2018 Impact of interfacial layer using ultra-thin SiO2 on electrical and structural characteristics of Gd2O3 MOS capacitor Journal of Materials Science: Materials in Electronics DOI 10.1007/s10854-018-9847-9 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q2 OpenAlex 78.1%
  18. 2018 Understanding of post deposition annealing and substrate temperature effects on structural and electrical properties of Gd2O3 MOS capacitor Journal of Materials Science: Materials in Electronics DOI 10.1007/s10854-018-8804-y YÖKSİS SJR Q2 JCR Q2 OpenAlex 74.8%
  19. 2018 Effects of interface states and series resistance on the electrical characteristic of Sc2O3 MOS capacitor Sakarya University Journal of Science DOI 10.16984/saufenbilder.327593 YÖKSİS SJR Q4 OpenAlex 57.7%
  20. 2017 Investigation of RadFET response to X-ray and electron beams Applied Radiation and Isotopes DOI 10.1016/j.apradiso.2017.06.004 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q3 OpenAlex 83.2%

← Akademisyenlere dön