İçeriğe geç
akaturk Akademik ölçüm
Giriş yap Kayıt ol

Akademisyen

SİBEL GÖKDEN

Profesör

Balıkesir Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü

Araştırma konuları OpenAlex
  1. Ana Dal Fen Bilimleri ve Matematik Temel Alanı
  2. Yan Dal Fizik
Anahtar kelimeler YÖKSİS
Makale 25 YÖKSİS 25 · OpenAlex 0 Toplam atıf 671 h-indeks 11 · OpenAlex Q1 makale 9 Scopus · WoS Q1 5 En iyi alan sırası #3.661 / 11.969 Ana dal · üst %30,6 Ortak yazar 28 2 Türk kurumu

Atıf etkisi

OpenAlex YÖKSİS makalelerinden OpenAlex’te eşleşen: 15 + YÖKSİS · ortak yazar kaydı: 3
h-indeks 11 Türkiye yüzdelik dilimi: 81 Üniversitesinde h-indekse göre 113. / 1.032
i10-indeks
11
Toplam atıf
671
Türkiye’de üst %10
Makale başına
37,3
FWCI
1,93
1,00 = dünya ortalaması
Dünyada üst %1
0
Dünyada üst %10
5

En çok atıf alan makaleleri

  1. The Effect of Interface Roughness and Disloction Scattering on Low Temperature Mobility of 2D Electron Gas in GaN AlGaN 2004 dünyada üst %10 188 atıf
  2. Comparison of the transport properties of high quality AlGaN AlN GaN and AlInN AlN GaN two dimensional electron gas heterostructures 2009 dünyada üst %10 96 atıf
  3. The effect of AlN interlayer thicknesses on scattering processes in lattice-matched AlInN GaN two dimensional electron gas heterostructures 2009 dünyada üst %10 72 atıf
Nasıl hesaplanır?

h-indeks ve atıflar, bu akademisyenin YÖKSİS makalelerinden OpenAlex’te eşleşenlerin atıf sayılarından hesaplanır (Google Scholar, WoS veya Scopus değildir). Eşleşmeyen makalelerin atıfı dahil değildir. Ortak yazarların YÖKSİS kayıtlarında bu akademisyenin YÖK kimliğiyle etiketlenen 3 makale (114 atıf) yalnızca atıf, h-indeks ve i10 hesabına katılır; makale sayıları, yüzdelik dilimler ve sıralamalar kendi YÖKSİS listesinden hesaplanır.

Alan sıralaması

YÖKSİS ?
Anahtar kelime sıralamaları 3

İşbirliği ağı

YÖKSİS eser kayıtlarındaki yazar listelerinden. Aynı eserin mükerrer kayıtları bir kez sayılır; kurumlar ortak yazarların YÖKSİS’teki güncel kurumudur.

Ortak yazar
28
akaturk profili olan
9
Ulusal kurum
2
Ortak yazarlı eser
%72

Ortak çalıştığı akademisyenler 9

  1. ALİ TEKE Profesör · Balıkesir Üniversitesi aynı üniversite 11
  2. REMZİYE TÜLEK Profesör · Balıkesir Üniversitesi aynı üniversite 11
  3. EKMEL ÖZBAY Profesör · İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi 9
  4. AYKUT ILGAZ Doçent · Balıkesir Üniversitesi aynı üniversite 5
  5. SÜLEYMAN ÖZÇELİK Profesör · Gazi Üniversitesi 5
  6. MEHMET KASAP Profesör · Gazi Üniversitesi 2
  7. SEFER BORA LİŞESİVDİN Profesör · Gazi Üniversitesi 2
  8. MUSTAFAKEMAL ÖZTÜRK Profesör · Gazi Üniversitesi 1
  9. SELİM ACAR Profesör · Gazi Üniversitesi 1

Ulusal işbirliği 2 kurum

Kurum içi13 ortak eser · Balıkesir Üniversitesi

  1. İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi 9 eser · 1 akademisyen
  2. Gazi Üniversitesi 6 eser · 5 akademisyen

Diğer ortak yazarlar (yabancı yazarlar dahil) 19

NACİ BALKAN 6ENGİN ARSLAN 5B K RİDLEY 4D Zanato 2S MAZZUCATO 2SEVİL TURHAN 2Senem Kayral 2W J Schaff 2AA KAYAAYDIN BAYRAKLIAyşe Melis AygarB SCHAFFEce Kutlu NarinMEHMET ÇETİN ARIKANPolat NarinSelman AğızaçmakTEZER FIRATVİNAYAK TİLAKÖZGÜR DUYGULU

akaturk profili olmayan yazarlar (yabancı araştırmacılar, emekli/ayrılmış akademisyenler, öğrenciler, klinisyenler) isim yazımına göre birleştirilir; “Güllüce M.” gibi kısaltmalar tek bir tam adla eşleşiyorsa o kişiye eklenir.

Dizinler ve atıf yüzdelikleri

?
TR Index 1 makale
OpenAlex atıf yüzdelik
Üst %10
Üst %104
Ort. · n 15 %68,2
Diğer sayımlar

Scopus (SJR)

  • YÖKSİS satırı 24

WoS (JCR)

  • YÖKSİS satırı 24

Makaleler

YÖKSİS ve OpenAlex kaynak ayrımıyla makaleler; quartile ve TR Index ile daraltabilirsiniz.

25makale

Yayını olan dergiler

14 dergi

Daralt

Scopus (SJR)
Q19 Q29 Q34 Q42
WoS (JCR)
Q15 Q24 Q39 Q46
TR Index
1makale

Makale listesi

  1. 2022 Morphological and optical characterizations of different ZnO nanostructures grown by mist-CVD Journal of Luminescence DOI 10.1016/j.jlumin.2022.119158 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q2 OpenAlex 56.1%
  2. 2022 The temperature and excitation power density dependent photoluminescence study of Ga-doped ZnO thin films JOURNAL OF OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS DOI https://joam.inoe.ro/articles/the-temperature-and-excitation-power-density-dependent-photoluminescence-study-of-ga-doped-zno-thin-films/ YÖKSİS SJR Q4 JCR Q4
  3. 2022 Predominant Scattering Mechanisms in Quaternary AlInGaN/GaN Heterostructures European journal of applied physics DOI 10.24018/ejphysics.2022.4.6.228 YÖKSİS OpenAlex 10.0%
  4. 2017 Transport properties of epitaxial graphene grownon SiC substrate OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS – RAPID COMMUNICATIONS DOI http://hdl.handle.net/11693/36431 YÖKSİS SJR Q3 JCR Q4
  5. 2014 Temperature dependent hot electron transport in slightly lattice mismatched AlInN/AlN/GaN heterostructures JOURNAL OF OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS YÖKSİS SJR Q3 JCR Q4
  6. 2014 The effect of GaN thickness inserted between two AlN layers on the transport properties of a lattice matched AlInN AlN GaN AlN GaN double channel heterostructure Thin Solid Films DOI http://apps.webofknowledge.com/summary.do?product=WOS&search_mode=GeneralSearch&qid=1&SID=U26d1NDAMCBHNH326oo&&page=2 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q2
  7. 2014 Temperature dependent hot electron transport in slightly lattice mismatced AlInN AlN GaN heterostructures Journal of Optoelectronics and Advanced Materials YÖKSİS SJR Q3 JCR Q4
  8. 2013 Current Transport Mechanisms in the AlInN AlN GaN single channel and AlInN AlN GaN AlN GaN double channel heterostructures Thin Solid Films YÖKSİS SJR Q1 JCR Q2 OpenAlex 57.0%
  9. 2011 Energy relaxations of hot electrons in AlGaN AlN GaN heterostructures grown by MOCVD on sapphire and 6H SiC substrates EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS DOI http://apps.webofknowledge.com/summary.do?product=WOS&search_mode=GeneralSearch&qid=1&SID=U26d1NDAMCBHNH326oo&&page=2 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q3 OpenAlex 70.6%
  10. 2009 Comparison of the transport properties of high quality AlGaN AlN GaN and AlInN AlN GaN two dimensional electron gas heterostructures JOURNAL OF APPLIED PHYSICS DOI http://apps.webofknowledge.com/summary.do?product=WOS&search_mode=GeneralSearch&qid=1&SID=U26d1NDAMCBHNH326oo&&page=2 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q1 OpenAlex üst %10 OpenAlex 97.5%
  11. 2008 Scattering mechanisms in InN Chinese Journal of Physics DOI http://apps.webofknowledge.com/summary.do?product=WOS&search_mode=GeneralSearch&qid=1&SID=U26d1NDAMCBHNH326oo&&page=2 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q4 OpenAlex 40.6%
  12. 2007 Scattering analysis of 2DEG carrier extracted by QMSA in undoped Al0 25Ga0 75N GaN heterostructures SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY DOI http://apps.webofknowledge.com/summary.do?product=WOS&search_mode=GeneralSearch&qid=1&SID=U26d1NDAMCBHNH326oo&&page=2 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q1 OpenAlex üst %10 OpenAlex 95.5%
  13. 2007 The applicability of model to the degenerate InN Optoelectronics and Advanced Materials – Rapid Communications YÖKSİS SJR Q3 JCR Q4
  14. 2007 The analysis of scattering mechanisms in GaN by relaxation time approximation and the comparison by the transport to quantum scattering time ratios EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS DOI http://apps.webofknowledge.com/summary.do?product=WOS&search_mode=GeneralSearch&qid=1&SID=U26d1NDAMCBHNH326oo&&page=2 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q3 OpenAlex 27.1%
  15. 2004 The Effect of Interface Roughness and Disloction Scattering on Low Temperature Mobility of 2D Electron Gas in GaN AlGaN Semicond. Sci. Technology YÖKSİS SJR Q1 JCR Q1 OpenAlex üst %10 OpenAlex 96.1%
  16. 2004 The effect of interface roughness scattering on low field of 2D electron gas in GaN AlGaN heterostructure Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures, YÖKSİS SJR Q2 JCR Q3 OpenAlex 75.9%
  17. 2004 The Effect of Electrons and Phonons Scattering From Interface Roughness and Well Width Fluctuations on Low Field Mobility of 2DEG in GaN AlGaN Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures YÖKSİS SJR Q2 JCR Q3
  18. 2004 Dislocation Scattering Effect on Two Dimensional Electron Gas Transport in GaN AlGaN Modulation Doped Heterostructures Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, YÖKSİS SJR Q2 JCR Q3
  19. 2004 The effect of scattering mechanisms on the low field mobility in GaN AlGaN heterostructures PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES DOI http://apps.webofknowledge.com/summary.do?product=WOS&search_mode=GeneralSearch&qid=1&SID=U26d1NDAMCBHNH326oo&&page=2 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q3 OpenAlex 73.1%
  20. 2004 The effect of hot phonons on the drift velocity in GaN AlGaN two dimensional electron gas Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures YÖKSİS SJR Q2 JCR Q3

← Akademisyenlere dön