İçeriğe geç
akaturk Akademik ölçüm
Giriş yap Kayıt ol

Akademisyen

HÜLYA DOĞAN

Profesör

Sivas Cumhuriyet Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü

Araştırma konuları OpenAlex
  1. Ana Dal Fen Bilimleri ve Matematik Temel Alanı
  2. Yan Dal Fizik
Anahtar kelimeler YÖKSİS
Makale 19 YÖKSİS 19 · OpenAlex 0 Toplam atıf 341 h-indeks 11 · OpenAlex Q1 makale 5 Scopus · WoS Q1 2 En iyi alan sırası #5.499 / 11.969 Ana dal · üst %45,9 Ortak yazar 24 7 Türk kurumu

Atıf etkisi

OpenAlex YÖKSİS makalelerinden OpenAlex’te eşleşen: 16 + YÖKSİS · ortak yazar kaydı: 4
h-indeks 11 Türkiye yüzdelik dilimi: 84 Üniversitesinde h-indekse göre 145. / 1.316
i10-indeks
11
Toplam atıf
341
Türkiye’de üst %18
Makale başına
17,1
FWCI
1,04
1,00 = dünya ortalaması
Dünyada üst %1
0
Dünyada üst %10
1

En çok atıf alan makaleleri

  1. The conductance and capacitance frequency characteristicsof Au pyronine B p type Si Al contacts 2007 dünyada üst %10 68 atıf
  2. The parameter extraction of the thermally annealed Schottkybarrier diode using the modified artificial bee colony 2013 34 atıf
  3. Thermally annealed Ni n GaAs Si In Schottky barrier diodes 2008 30 atıf
Nasıl hesaplanır?

h-indeks ve atıflar, bu akademisyenin YÖKSİS makalelerinden OpenAlex’te eşleşenlerin atıf sayılarından hesaplanır (Google Scholar, WoS veya Scopus değildir). Eşleşmeyen makalelerin atıfı dahil değildir. Ortak yazarların YÖKSİS kayıtlarında bu akademisyenin YÖK kimliğiyle etiketlenen 4 makale (30 atıf) yalnızca atıf, h-indeks ve i10 hesabına katılır; makale sayıları, yüzdelik dilimler ve sıralamalar kendi YÖKSİS listesinden hesaplanır. OpenAlex yazar profilindeki h-indeks: 12.

Alan sıralaması

YÖKSİS ?
Anahtar kelime sıralamaları 3

İşbirliği ağı

YÖKSİS eser kayıtlarındaki yazar listelerinden. Aynı eserin mükerrer kayıtları bir kez sayılır; kurumlar ortak yazarların YÖKSİS’teki güncel kurumudur.

Ortak yazar
24
akaturk profili olan
16
Ulusal kurum
7
Ortak yazarlı eser
%89

Ortak çalıştığı akademisyenler 16

  1. NEZİR YILDIRIM Profesör · Bingöl Üniversitesi 10
  2. HATUN KORKUT Doçent · Karabük Üniversitesi 3
  3. SERDAR KOÇKANAT Profesör · Sivas Cumhuriyet Üniversitesi aynı üniversite 2
  4. YUNİS TORUN Doçent · Sivas Cumhuriyet Üniversitesi aynı üniversite 2
  5. İKRAM ORAK Profesör · Bingöl Üniversitesi 2
  6. AYNUR OTAĞ Doçent · Sivas Cumhuriyet Üniversitesi aynı üniversite 1
  7. GÜVEN TURGUT Profesör · Erzurum Teknik Üniversitesi 1
  8. KAAN ÇİMEN Doktor Öğretim Üyesi · Sivas Cumhuriyet Üniversitesi aynı üniversite 1
  9. MUSTAFA ŞEKER Doçent · Sivas Cumhuriyet Üniversitesi aynı üniversite 1
  10. MUZAFFER ÇAKAR Profesör · Necmettin Erbakan Üniversitesi 1
Tümünü göster (16)
  1. NURHAN KARABOĞA Profesör · Erciyes Üniversitesi 1
  2. SERKAN AKKOYUN Profesör · Sivas Cumhuriyet Üniversitesi aynı üniversite 1
  3. SONGÜL DUMAN Profesör · Erzurum Teknik Üniversitesi 1
  4. YILMAZ ŞAHİN Öğretim Görevlisi (ders Vermekle Görevli) · Atatürk Üniversitesi 1
  5. ÖZHAN PAZARCI Profesör · Sağlık Bilimleri Üniversitesi 1
  6. İLHAN OTAĞ Profesör · Sivas Cumhuriyet Üniversitesi aynı üniversite 1

Ulusal işbirliği 7 kurum

Kurum içi5 ortak eser · Sivas Cumhuriyet Üniversitesi

  1. Bingöl Üniversitesi 10 eser · 2 akademisyen
  2. Karabük Üniversitesi 3 eser · 1 akademisyen
  3. Atatürk Üniversitesi 1 eser · 1 akademisyen
  4. Erciyes Üniversitesi 1 eser · 1 akademisyen
  5. Erzurum Teknik Üniversitesi 1 eser · 2 akademisyen
  6. Necmettin Erbakan Üniversitesi 1 eser · 1 akademisyen
  7. Sağlık Bilimleri Üniversitesi 1 eser · 1 akademisyen

Diğer ortak yazarlar (yabancı yazarlar dahil) 8

ABDULMECİT TURUT 9SEZAİ ELAGÖZ 2Ayyıldız EniseBiber MehmetFATMA ZEHRA BAYATFikriye Şeyma KayaMEHMET ÇİMENNuhoğlu Çiğdem

akaturk profili olmayan yazarlar (yabancı araştırmacılar, emekli/ayrılmış akademisyenler, öğrenciler, klinisyenler) isim yazımına göre birleştirilir; “Güllüce M.” gibi kısaltmalar tek bir tam adla eşleşiyorsa o kişiye eklenir.

Dizinler ve atıf yüzdelikleri

?
TR Index 1 makale
OpenAlex atıf yüzdelik
Üst %10
Üst %101
Ort. · n 16 %69,1
Diğer sayımlar

Scopus (SJR)

  • YÖKSİS satırı 16

WoS (JCR)

  • YÖKSİS satırı 16

Makaleler

YÖKSİS ve OpenAlex kaynak ayrımıyla makaleler; quartile ve TR Index ile daraltabilirsiniz.

19makale

Yayını olan dergiler

17 dergi

Daralt

Scopus (SJR)
Q15 Q28 Q31 Q42
WoS (JCR)
Q12 Q28 Q33 Q43
TR Index
1makale

Makale listesi

  1. 2024 Determination of Electrical and Optical Parameters of Schottky Diode with Metal Complex Interlayer Journal of Engineering Faculty YÖKSİS
  2. 2024 Schottky Bariyer Diyotlarında Termal Tavlama İşleminin ANFİS ile Modellenmesi Iğdır Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi DOI https://dergipark.org.tr/tr/pub/jist YÖKSİS
  3. 2023 Next‐Generation Application‐Based Artificial Intelligence in Modeling and Estimation for Ni/n‐GaAs/In Schottky Barrier Diode Wiley DOI 10.1002/pssa.202200740 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q3 OpenAlex 53.0%
  4. 2022 MODELING OF PATELLA HEIGHT WITH DISTAL FEMUR AND PROXIMAL TIBIA REFERENCE POINTS WITH ARTIFICIAL NEURAL NETWORK World Scientific Pub Co Pte Ltd DOI 10.1142/S0219519422500154 YÖKSİS SJR Q4 JCR Q4 OpenAlex 70.1%
  5. 2022 The effects of electron irradiation on the current-voltage and capacitance-voltage measurements of Sn/p-GaAs/Au diodes Radiation Physics and Chemistry DOI 10.1016/j.radphyschem.2022.109992 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q1 OpenAlex 58.1%
  6. 2022 Parameter Estimation of AI/p-Si Schottky Barrier Diode Using Different Meta-Heuristic Optimization Techniques Symmetry DOI 10.3390/sym14112389 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q2 OpenAlex 81.0%
  7. 2021 Modeling of Schottky diode characteristic by machine learning techniques based on experimental data with wide temperature range Superlattices and Microstructures DOI 10.1016/j.spmi.2021.107062 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q2 OpenAlex 87.4%
  8. 2018 CURRENT–VOLTAGE CHARACTERISTICS OF THERMALLY ANNEALED Ni/n-GaAs SCHOTTKY CONTACTS Surface Review and Letters DOI 10.1142/S0218625X18500828 YÖKSİS SJR Q4 JCR Q4 OpenAlex 68.7%
  9. 2017 Photovoltaic and Electrical Properties of Al/Ruthenium(II)complex/p-Si Photodiode Cumhuriyet Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fen Bilimleri Dergisi YÖKSİS TR Index OpenAlex 8.3%
  10. 2015 The interface state density characterization by temperature dependent capacitance conductance frequency measurements in Au Ni n GaN structures Materials Research Express DOI 10.1088/2053-1591/2/9/096304 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q3 OpenAlex 66.7%
  11. 2015 Capacitance conductance frequency characteristics of Au Ni n GaN undoped GaN Structures Physica B: Condensed Matter DOI 10.1016/j.physb.2014.09.033 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q3 OpenAlex 78.2%
  12. 2014 Temperature dependent electrical transport propertiesof Au Ni n GaN Schottky barrier diodes PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES DOI 10.1016/j.physe.2014.04.019 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q2 OpenAlex 70.0%
  13. 2013 The parameter extraction of the thermally annealed Schottkybarrier diode using the modified artificial bee colony APPLIED INTELLIGENCE DOI 10.1007/s10489-012-0372-x YÖKSİS SJR Q2 JCR Q2 OpenAlex 89.4%
  14. 2009 Analysis of current voltage temperature characteristics and T0 anomaly inCr n GaAs Schottky diodes fabricated by magnetron sputtering technique Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials DOI 10.1016/j.mseb.2008.12.009 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q2 OpenAlex 65.7%
  15. 2009 Dependence of characteristic diode parameters in Ni n GaAs contacts on thermal annealing and sample temperature INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B DOI 10.1142/S0217979209053564 YÖKSİS SJR Q3 JCR Q4 OpenAlex 50.8%
  16. 2008 Thermally annealed Ni n GaAs Si In Schottky barrier diodes Microelectronic Engineering DOI 10.1016/j.mee.2007.12.007 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q2 OpenAlex 83.4%
  17. 2007 Prediction of lateral barrier height in identically preparedNi n type GaAs Schottky barrier diodes APPLIED SURFACE SCIENCE DOI 10.1016/j.apsusc.2007.03.029 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q2 OpenAlex 83.4%
  18. 2007 The conductance and capacitance frequency characteristicsof Au pyronine B p type Si Al contacts APPLIED SURFACE SCIENCE DOI 10.1016/j.apsusc.2006.07.045 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q2 OpenAlex üst %10 OpenAlex 90.9%
  19. 2006 Determination of the characteristic parameters of Sn n GaAs Al Ge Schottky diodes by a barrier height inhomogeneity model SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY DOI 0268-1242/06/060822+07$30.00 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q1

← Akademisyenlere dön