İçeriğe geç
akaturk Akademik ölçüm
Giriş yap Kayıt ol

Akademisyen

MUZAFFER ÇAKAR

Profesör

Necmettin Erbakan Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Temel Bilimler Bölümü

Araştırma konuları OpenAlex
  1. Ana Dal Fen Bilimleri ve Matematik Temel Alanı
  2. Yan Dal Kimya
Anahtar kelimeler YÖKSİS
Makale 15 YÖKSİS 15 · OpenAlex 0 Toplam atıf 900 h-indeks 14 · OpenAlex Q1 makale 9 Scopus · WoS Q1 3 En iyi alan sırası #5.171 / 11.969 Ana dal · üst %43,2 Ortak yazar 10 5 Türk kurumu

Atıf etkisi

OpenAlex YÖKSİS makalelerinden OpenAlex’te eşleşen: 15 + YÖKSİS · ortak yazar kaydı: 2
h-indeks 14 Türkiye yüzdelik dilimi: 93 Üniversitesinde h-indekse göre 74. / 1.369
i10-indeks
15
Toplam atıf
900
Türkiye’de üst %5,6
Makale başına
52,9
FWCI
1,96
1,00 = dünya ortalaması
Dünyada üst %1
0
Dünyada üst %10
4

En çok atıf alan makaleleri

  1. Electrical transport characteristics of Sn/p-Si schottky contacts revealed from I–V–T and C–V–T measurements 2007 dünyada üst %10 125 atıf
  2. Current-voltage and capacitance-voltage characteristics of Sn/rhodamine-101/n-Si and Sn/rhodamine-101/p-Si Schottky barrier diodes 2006 dünyada üst %10 115 atıf
  3. Current transport in Zn/p-Si(100) Schottky barrier diodes at high temperatures 2005 dünyada üst %10 108 atıf
Nasıl hesaplanır?

h-indeks ve atıflar, bu akademisyenin YÖKSİS makalelerinden OpenAlex’te eşleşenlerin atıf sayılarından hesaplanır (Google Scholar, WoS veya Scopus değildir). Eşleşmeyen makalelerin atıfı dahil değildir. Ortak yazarların YÖKSİS kayıtlarında bu akademisyenin YÖK kimliğiyle etiketlenen 2 makale (29 atıf) yalnızca atıf, h-indeks ve i10 hesabına katılır; makale sayıları, yüzdelik dilimler ve sıralamalar kendi YÖKSİS listesinden hesaplanır.

Alan sıralaması

YÖKSİS ?
Anahtar kelime sıralamaları 3

İşbirliği ağı

YÖKSİS eser kayıtlarındaki yazar listelerinden. Aynı eserin mükerrer kayıtları bir kez sayılır; kurumlar ortak yazarların YÖKSİS’teki güncel kurumudur.

Ortak yazar
10
akaturk profili olan
6
Ulusal kurum
5
Ortak yazarlı eser
%100

Ortak çalıştığı akademisyenler 6

  1. ŞÜKRÜ KARATAŞ Profesör · Kahramanmaraş Sütçü İmam Üniversitesi 6
  2. CABİR TEMİRCİ Profesör · Van Yüzüncü Yıl Üniversitesi 4
  3. NEZİR YILDIRIM Profesör · Bingöl Üniversitesi 3
  4. YAVUZ ONGANER Profesör · Atatürk Üniversitesi 3
  5. MUSTAFA SAĞLAM Profesör · Atatürk Üniversitesi 1
  6. ÖMER GÜLLÜ Profesör · Batman Üniversitesi 1

Ulusal işbirliği 5 kurum

  1. Kahramanmaraş Sütçü İmam Üniversitesi 6 eser · 1 akademisyen
  2. Atatürk Üniversitesi 4 eser · 2 akademisyen
  3. Van Yüzüncü Yıl Üniversitesi 4 eser · 1 akademisyen
  4. Bingöl Üniversitesi 3 eser · 1 akademisyen
  5. Batman Üniversitesi 1 eser · 1 akademisyen

Diğer ortak yazarlar (yabancı yazarlar dahil) 4

ABDULMECİT TURUT 12mehmet biber 2ŞEMSETTİN ALTINDAL 2hakan doğan

akaturk profili olmayan yazarlar (yabancı araştırmacılar, emekli/ayrılmış akademisyenler, öğrenciler, klinisyenler) isim yazımına göre birleştirilir; “Güllüce M.” gibi kısaltmalar tek bir tam adla eşleşiyorsa o kişiye eklenir.

Dizinler ve atıf yüzdelikleri

?
TR Index 0 makale
OpenAlex atıf yüzdelik
Üst %10
Üst %104
Ort. · n 15 %78,5
Diğer sayımlar

Scopus (SJR)

  • YÖKSİS satırı 15

WoS (JCR)

  • YÖKSİS satırı 15

Makaleler

YÖKSİS ve OpenAlex kaynak ayrımıyla makaleler; quartile ve TR Index ile daraltabilirsiniz.

15makale

Yayını olan dergiler

8 dergi

Daralt

Scopus (SJR)
Q19 Q26 Q30 Q40
WoS (JCR)
Q13 Q29 Q33 Q40
TR Index
0makale

Makale listesi

  1. 2019 Rectifying pyronine-B/p-type silicon junctions formed by sublimation of pyronine-B Journal of Materials Science: Materials in Electronics DOI 10.1023/A:1026297105615 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q2 OpenAlex 54.7%
  2. 2019 The effect of anodic oxide treatment on n-GaAs Schottky barrier diodes Journal of Materials Science: Materials in Electronics DOI 10.1023/A:1012441619984 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q2 OpenAlex 78.4%
  3. 2014 On the electrical characteristics of the Al/rhodamine-101/p-Si MS structure at low temperatures Materials Science in Semiconductor Processing DOI 10.1016/j.mssp.2014.08.013 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q2 OpenAlex 73.3%
  4. 2009 Electrical Properties of Organic–Inorganic Semiconductor Device Based on Rhodamine-101 Journal of Electronic Materials DOI 10.1007/s11664-009-0838-8 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q2 OpenAlex 67.3%
  5. 2009 Temperature dependence of the electrical and interface states of the Sn/Rhodamine-101/p-Si Schottky structures Synthetic Metals DOI 10.1016/j.synthmet.2008.11.025 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q1 OpenAlex 88.5%
  6. 2007 Electrical transport characteristics of Sn/p-Si schottky contacts revealed from I–V–T and C–V–T measurements Physica B: Condensed Matter DOI 10.1016/j.physb.2006.10.039 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q3 OpenAlex üst %10 OpenAlex 97.9%
  7. 2007 The conductance and capacitance–frequency characteristics of Au/pyronine-B/p-type Si/Al contacts Applied Surface Science DOI 10.1016/j.apsusc.2006.07.045 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q2 OpenAlex üst %10 OpenAlex 90.9%
  8. 2006 Temperature dependence of the current–voltage characteristics of the Al/Rhodamine-101/p-Si(100) contacts Applied Surface Science DOI 10.1016/j.apsusc.2005.03.222 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q2 OpenAlex 85.1%
  9. 2006 Current-voltage and capacitance-voltage characteristics of Sn/rhodamine-101/n-Si and Sn/rhodamine-101/p-Si Schottky barrier diodes JOURNAL OF APPLIED PHYSICS DOI 10.1063/1.2355547 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q1 OpenAlex üst %10 OpenAlex 96.3%
  10. 2005 Current transport in Zn/p-Si(100) Schottky barrier diodes at high temperatures Physica B: Condensed Matter DOI 10.1016/j.physb.2004.12.003 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q3 OpenAlex üst %10 OpenAlex 95.8%
  11. 2004 The effects of the ageing on the characteristic parameters of polyaniline/p-type Si/Al structure Applied Surface Science DOI 10.1016/j.apsusc.2004.03.003 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q2 OpenAlex 74.7%
  12. 2004 The current–voltage and capacitance–voltage characteristics of Cu/rhodamine 101/p-Si contacts Physica B: Condensed Matter DOI 10.1016/j.physb.2004.01.149 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q3 OpenAlex 69.1%
  13. 2004 The Schottky barrier height of the rectifying Cu/pyronine-B/p-Si, Au/pyronine-B/p-Si, Sn/pyronine-B/p-Si and Al/pyronine-B/p-Si contacts Synthetic Metals DOI 10.1016/j.synthmet.2003.08.009 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q2 OpenAlex 64.8%
  14. 2002 The nonpolymeric organic compound (pyronine-B)/p-type silicon/Sn contact barrier devices Synthetic Metals DOI 10.1016/S0379-6779(01)00550-1 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q1 OpenAlex 85.0%
  15. 2002 The Conductance and Capacitance Frequency Characteristics of the Rectifying Junctions Formed by Sublimation of Organic Pyronine B on p Type Silicon Journal of Solid State Chemistry DOI 10.1006/jssc.2002.9706 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q2 OpenAlex 55.3%

← Akademisyenlere dön