İçeriğe geç
akaturk Akademik ölçüm
Giriş Kayıt

Makale detayı · 2016

Energy relaxation of hot electrons by LO phonon emission in AlGaN/AlN/GaN heterostructure with in situ Si3N4 passivation

Journal of Alloys and Compounds

YÖKSİS OpenAlex SJR Q1 JCR Q1 Atıf 2 Yüzdelik 58.3% FWCI 0.23
Yıl
2016
ISSN
0925-8388
DOI
10.1016/j.jallcom.2015.11.056
Tür
article

Veri kaynağı ayrımı

  • YÖKSİS YÖKSİS makale kaydı
  • OpenAlex OpenAlex zenginleştirmesi (özet, atıf, konular)

OpenAlex kaydı

Özet

Bu makale için OpenAlex özet kaydı henüz yok.

Konular

  • GaN-based semiconductor devices and materials
  • Ga2O3 and related materials
  • Semiconductor materials and devices

Birincil konu GaN-based semiconductor devices and materials

Yazarlar

  1. G Atmaca
  2. ŞÜKRÜ ARDALI ESKİŞEHİR TEKNİK ÜNİVERSİTESİ
  3. P Narin
  4. E Kutlu
  5. SB Lişesivdin
  6. T Malin
  7. V Mansurov
  8. K Zhuravlev
  9. ENGİN TIRAŞ ESKİŞEHİR TEKNİK ÜNİVERSİTESİ
  10. ZAHİT UYSAL
  11. YUSUF SİNAN HÜSREVOĞLU