Makale detayı · 2016
Buffer effects on the mosaic structure of the HR-GaN grown on 6H-SiC substrate by MOCVD
Journal of Materials Science: Materials in Electronics
YÖKSİS
OpenAlex
SJR Q2
JCR Q2
Atıf 8
Yüzdelik 73.1%
FWCI 0.72
- Yıl
- 2016
- ISSN
0957-4522- Tür
- article
Veri kaynağı ayrımı
- YÖKSİS YÖKSİS makale kaydı
- OpenAlex OpenAlex zenginleştirmesi (özet, atıf, konular)
Özet
Bu makale için OpenAlex özet kaydı henüz yok.
Konular
- GaN-based semiconductor devices and materials
- Semiconductor materials and devices
- Ga2O3 and related materials
Birincil konu GaN-based semiconductor devices and materials