Article detail · 2014 · article
AlGaAs/GaAs Heteroyapılarda Öz Uyumlu Potansiyel Hesabı
Journal
Nevşehir Bilim ve Teknoloji Dergisi
ISSN2148-466X
YÖKSİS
OpenAlex
Open access · bronze
Year2014
Citations0OpenAlex
Percentile%22.9
FWCI0.01.00 = world average
Data source split
- YÖKSİSYÖKSİS article record
- YÖKSİS venueNevşehir Bilim ve Teknoloji Dergisi
- OpenAlexOpenAlex enrichment (abstract, citations, topics)
Abstract
Bu çalışmada, birbirine paralel ikili, iki boyutlu elektron gazını (2BEG) modellemek için III-V grubu yarı iletken elementlerinden AlGaAs/GaAs heteroyapısının enerji bant dağılımı Schrödinger ve Poissson denklemlerinin öz uyumlu çözümüyle elde edilmiştir. AlGaAs/GaAs heteroyapıların elektronik özellikleri katkılamanın 2BEG’in tek ve her iki tarafına yapılması durumunda katkılamanın bir fonksiyonu olarak incelenmiştir. Ayrıca; enerji bant dağılımının Al konsantrasyonuna bağlı değişimi sistematik olarak araştırılmıştır.
Topics
Citations
OpenAlex cited_by_count. Not a WoS or Scopus citation count; those sources have no separate column here.
0citationsOpenAlex · cited_by_count (cache / database)