İçeriğe geç
akaturk Akademik ölçüm
Giriş yap Kayıt ol

Akademisyen

AHMET KAYMAZ

Doçent

Bolu Abant İzzet Baysal Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü

Araştırma konuları OpenAlex
  1. Ana Dal Mühendislik Temel Alanı
  2. Yan Dal Elektrik-Elektronik ve Haberleşme Mühendisliği
Anahtar kelimeler YÖKSİS
Makale 18 YÖKSİS 18 · OpenAlex 0 Toplam atıf 202 h-indeks 8 · OpenAlex OpenAlex kapsamı %100 eşleşen 18 / 18 Q1 makale 7 Scopus · WoS Q1 4 En iyi alan sırası #655 / 2.948 Yan dal · üst %22,2 Ortak yazar 17 5 Türk kurumu

Atıf etkisi

OpenAlex YÖKSİS makalelerinden OpenAlex’te eşleşen: 18
h-indeks 8 Türkiye yüzdelik dilimi: 77 Üniversitesinde h-indekse göre 167. / 1.066
i10-indeks
8
Toplam atıf
202
Türkiye’de üst %25
Makale başına
11,2
FWCI
1,92
1,00 = dünya ortalaması
Dünyada üst %1
0
Dünyada üst %10
4

En çok atıf alan makaleleri

  1. Evaluation of gamma-irradiation effects on the electrical properties of Al/(ZnO-PVA)/p-Si type Schottky diodes using current-voltage measurements 2021 dünyada üst %10 53 atıf
  2. Investigation of gamma-irradiation effects on electrical characteristics of Al/(ZnO–PVA)/p-Si Schottky diodes using capacitance and conductance measurements 2020 27 atıf
  3. Determination of temperature sensitivity and current-transport mechanisms of the GaAs-based MS contact 2023 dünyada üst %10 22 atıf
Nasıl hesaplanır?

h-indeks ve atıflar, bu akademisyenin YÖKSİS makalelerinden OpenAlex’te eşleşenlerin atıf sayılarından hesaplanır (Google Scholar, WoS veya Scopus değildir). Eşleşmeyen makalelerin atıfı dahil değildir. OpenAlex yazar profilindeki h-indeks: 8.

Atıf yapan yayınlar

Crossref DOI’li 18 makaleye atıf yapan 16 yayın · 11 Türkiye adresli

2020 12021 92022 42025 2

  1. 10.1109/miel66332.2025.11261070 2025
  2. 10.1007/s10854-025-16166-z 2025
  3. Performance of the illumination dependent electrical and photodiode characteristic of the Al/(GO:PTCDA)/p-Si structures TR Şükrü Karataş ve diğ. · Optical Materials · 2022
  4. Doping rate, Interface states and Polarization Effects on Dielectric Properties, Electric Modulus, and AC Conductivity in PCBM/NiO:ZnO/p-Si Structures in Wide Frequency Range TR S. Demirezen ve diğ. · Silicon · 2022
  5. The electrical characteristic of an MIS structure with biocompatible minerals doped (Brushite+Monetite: PVC) interface layer TR M. Ulusoy ve diğ. · Microelectronic Engineering · 2022
  6. The structural and optical properties of GO: Temperature-dependent analysis of the electrical properties of Al/GO/p-type Si semiconductor structures TR Niyazi Berk ve diğ. · Journal of Physics and Chemistry of Solids · 2022
  7. Evaluation of gamma-irradiation effects on the electrical properties of Al/(ZnO-PVA)/p-Si type Schottky diodes using current-voltage measurements TR Ahmet Kaymaz ve diğ. · Radiation Physics and Chemistry · 2021
  8. Comparison of the electrical and impedance properties of Au/(ZnOMn:PVP)/n-Si (MPS) type Schottky-diodes (SDs) before and after gamma-irradiation TR Şemsettin Altındal ve diğ. · Physica Scripta · 2021
  9. Investigation of Schottky emission and space charge limited current (SCLC) in Au/SnO2/n-Si Schottky diode with gamma-ray irradiation TR Fatime Duygu Akgül ve diğ. · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2021
  10. Investigation on UV Photoresponsivity of main electrical properties of Au/CuO-PVA/n-Si MPS type Schottky Barrier Diodes (SBDs) TR Gülçin Ersöz Demir · Physica B: Condensed Matter · 2021
  11. Dependence of Electrical Properties of Ni/n-GaP/Al Schottky Contacts on Measurement Temperature and Thermal Annealing TR Kadir Ejderha ve diğ. · Journal of Electronic Materials · 2021
  12. Changes in frequency-dependent dielectric features of monolayer graphene/silicon structure due to gamma irradiation TR Elanur Seven ve diğ. · Physica Scripta · 2021
  13. 10.1016/j.microrel.2021.114386 2021
  14. 10.1080/01411594.2021.1998493 2021
  15. 10.1016/j.spmi.2021.107088 2021
  16. Intersection behavior of the current–voltage (I–V) characteristics of the (Au/Ni)/HfAlO3/n-Si (MIS) structure depends on the lighting intensity TR Engin Arslan ve diğ. · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2020
Bu liste nereden geliyor?

Crossref’in kamuya açık Mart 2026 veri dökümündeki referans listelerinden çıkarılmıştır; dökümün %18.4’i işlenmiştir, bu yüzden liste eksik olabilir. Crossref atıfları OpenAlex atıf sayılarıyla toplanmaz ve karşılaştırılmaz; iki kaynağın kapsamı farklıdır.

Alan sıralaması

YÖKSİS ?
Anahtar kelime sıralamaları 3

İşbirliği ağı

YÖKSİS eser kayıtlarındaki yazar listelerinden. Aynı eserin mükerrer kayıtları bir kez sayılır; kurumlar ortak yazarların YÖKSİS’teki güncel kurumudur.

Ortak yazar
17
akaturk profili olan
9
Ulusal kurum
5
Ortak yazarlı eser
%83

Ortak çalıştığı akademisyenler 9

  1. ESRA EVCİN BAYDİLLİ Doçent · Hakkari Üniversitesi 11
  2. HABİBE TECİMER Profesör · Karabük Üniversitesi 5
  3. HAZİRET DURMUŞ Profesör · Selçuk Üniversitesi 3
  4. YUNUS EMRE KARASU Doktor Öğretim Üyesi · Karabük Üniversitesi 3
  5. HÜSEYİN TECİMER Profesör · Karabük Üniversitesi 2
  6. ALİ AKAY Doktor Öğretim Üyesi · Karabük Üniversitesi 1
  7. ENİSE ÖZERDEN Doktor Öğretim Üyesi · Batman Üniversitesi 1
  8. ERDOĞAN ÖZEL Doktor Öğretim Üyesi · Van Yüzüncü Yıl Üniversitesi 1
  9. MEHMET İZZEDDİN GÜLER Araştırma Görevlisi · Karabük Üniversitesi 1

Ulusal işbirliği 5 kurum

  1. Hakkari Üniversitesi 11 eser · 1 akademisyen
  2. Karabük Üniversitesi 10 eser · 5 akademisyen
  3. Selçuk Üniversitesi 3 eser · 1 akademisyen
  4. Batman Üniversitesi 1 eser · 1 akademisyen
  5. Van Yüzüncü Yıl Üniversitesi 1 eser · 1 akademisyen

Diğer ortak yazarlar (yabancı yazarlar dahil) 8

ŞEMSETTİN ALTINDAL 13YASHAR AZİZİAN-KALANDARAGH 3AHMET BARANAYLAR FEİZAOLLAHİ VAHİDMEHMET AKBABAMUSTAFA ŞAHİNOMAR ISSARENGİN BERUJ BOZKURT

akaturk profili olmayan yazarlar (yabancı araştırmacılar, emekli/ayrılmış akademisyenler, öğrenciler, klinisyenler) isim yazımına göre birleştirilir; “Güllüce M.” gibi kısaltmalar tek bir tam adla eşleşiyorsa o kişiye eklenir.

Dizinler ve atıf yüzdelikleri

?
TR Index 2 makale
OpenAlex atıf yüzdelik
Üst %10
Üst %104
Ort. · n 18 %76,0
Diğer sayımlar

Scopus (SJR)

  • YÖKSİS satırı 16

WoS (JCR)

  • YÖKSİS satırı 16

Makaleler

YÖKSİS ve OpenAlex kaynak ayrımıyla makaleler; quartile ve TR Index ile daraltabilirsiniz.

18makale

Yayını olan dergiler

13 dergi

Daralt

Scopus (SJR)
Q17 Q28 Q31 Q40
WoS (JCR)
Q14 Q27 Q33 Q42
TR Index
2makale

Makale listesi

  1. 2026 The behaviour of ultra-high temperature sensitivity and multi-gaussian barrier shape for RGO/PVA-doped CF-based Schottky device Electrochimica Acta DOI 10.1016/j.electacta.2025.148095 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q2 OpenAlex 79.8%
  2. 2026 Enhanced photoresponse of the AgZnO-doped PVA interfaced Schottky photodiodes under variable illumination Optical Materials DOI 10.1016/j.optmat.2026.118345 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q2 OpenAlex 62.4%
  3. 2026 Comprehensive dielectric analysis of Schottky devices with Cu-doped DLC interlayer: Temperature effects and polarization mechanisms Materials Science and Engineering: B DOI 10.1016/j.mseb.2026.119238 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q2 OpenAlex üst %10 OpenAlex 91.5%
  4. 2026 The role of Cu-doping in DLC interlayers on the electrical parameters of MIS-type Schottky devices: A Capacitance-Conductance analysis Applied Surface Science DOI 10.1016/j.apsusc.2026.166805 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q1 OpenAlex 86.0%
  5. 2025 Negative capacitance and negative dielectric behavior of MIS device with Rhenium-Type Schottky contacts Solid-State Electronics DOI 10.1016/j.sse.2025.109204 YÖKSİS SJR Q3 JCR Q4 OpenAlex 83.7%
  6. 2025 Dielectric properties and polarization mechanisms of the DLC-interlayered Schottky structures under low-moderate and high-temperatures Materials Science and Engineering: B DOI 10.1016/j.mseb.2025.118406 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q2 OpenAlex üst %10 OpenAlex 95.1%
  7. 2025 Comparison of electrical properties of pure and copper-doped diamond-like carbon interfacial-layered Schottky devices under different temperature conditions Journal of Materials Science: Materials in Electronics DOI 10.1007/s10854-025-14360-7 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q2 OpenAlex 89.1%
  8. 2024 Multi-Gaussian distribution of barrier height in diamond-like carbon interfacial-layered Schottky devices Materials Science in Semiconductor Processing DOI 10.1016/j.mssp.2024.108380 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q2 OpenAlex 89.8%
  9. 2024 Overview of the irradiation-dependent behaviour of the negative dielectric properties of GaAs-based MIS devices Radiation Physics and Chemistry DOI 10.1016/j.radphyschem.2024.111877 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q1 OpenAlex 85.5%
  10. 2024 The Role of Co/Zn-Doped Organic Interlayer on the Operating Performance of Schottky Devices as an Ionizing Radiation Sensor IEEE Sensors Journal DOI 10.1109/JSEN.2024.3387738 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q1 OpenAlex 79.7%
  11. 2024 Identification of the Operating Modes in Single-Phase DC Drives Balkan Journal of Electrical and Computer Engineering DOI 10.17694/bajece.1475619 YÖKSİS TR Index OpenAlex 0.3%
  12. 2023 Determination of temperature sensitivity and current-transport mechanisms of the GaAs-based MS contact Materials Today Communications DOI 10.1016/j.mtcomm.2023.106380 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q2 OpenAlex üst %10 OpenAlex 92.7%
  13. 2023 Negative Capacitance Phenomenon in GaAs-Based MIS Devices Under Ionizing Radiation Balkan Journal of Electrical and Computer Engineering DOI 10.17694/bajece.1210121 YÖKSİS TR Index OpenAlex 46.0%
  14. 2022 Ionizing radiation response of bismuth titanate-based metal-ferroelectric-semiconductor (MFS) type capacitor Microelectronics Reliability DOI 10.1016/j.microrel.2022.114546 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q4 OpenAlex 63.9%
  15. 2021 Evaluation of gamma-irradiation effects on the electrical properties of Al/(ZnO-PVA)/p-Si type Schottky diodes using current-voltage measurements Radiation Physics and Chemistry DOI 10.1016/j.radphyschem.2021.109430 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q1 OpenAlex üst %10 OpenAlex 96.0%
  16. 2020 Investigation of gamma-irradiation effects on electrical characteristics of Al/(ZnO–PVA)/p-Si Schottky diodes using capacitance and conductance measurements Journal of Materials Science: Materials in Electronics DOI 10.1007/s10854-020-03370-2 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q3 OpenAlex 82.6%
  17. 2020 On the Multi-parallel Diodes Model in Au/PVA/n-GaAs Schottky Diodes and Investigation of Conduction Mechanisms (CMs) in a Temperature Range of 80–360 K Journal of Electronic Materials DOI 10.1007/s11664-020-08473-4 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q3 OpenAlex 78.6%
  18. 2020 The determination of the temperature and voltage dependence of the main device parameters of Au/7%Gr-doped PVA/n-GaAs-type Schottky Diode (SD) Journal of Materials Science: Materials in Electronics DOI 10.1007/s10854-020-03799-5 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q3 OpenAlex 65.6%

← Akademisyenlere dön