İçeriğe geç
akaturk Akademik ölçüm
Giriş yap Kayıt ol

Akademisyen

PERİHAN DURMUŞ

Profesör

Gazi Üniversitesi Fen Fakültesi Fizik Bölümü

Araştırma konuları OpenAlex
Makale 28 YÖKSİS 28 · OpenAlex 0 Toplam atıf 341 h-indeks 12 · OpenAlex Q1 makale 4 Scopus · WoS Q1 3 En iyi alan sırası #5.048 / 11.801 Ana dal · üst %42,8 Ortak yazar 18 4 Türk kurumu
  1. Ana Dal Fen Bilimleri ve Matematik Temel Alanı
  2. Yan Dal Fizik
Anahtar kelimeler YÖKSİS
Akademik özet YÖKSİS ve OpenAlex ayrı sayılır.
Makale 28
YÖKSİS28 OpenAlex0
Proje 4
Kitap 0
Bildiri 11

Atıf etkisi

OpenAlex YÖKSİS makalelerinden OpenAlex’te eşleşen: 13 + YÖKSİS · ortak yazar kaydı: 10
h-indeks 12 Türkiye yüzdelik dilimi: 82 Üniversitesinde h-indekse göre 641. / 2.190
i10-indeks
16
Toplam atıf
341
Türkiye’de üst %27
Makale başına
14,8
FWCI
1,32
1,00 = dünya ortalaması
Dünyada üst %1
0
Dünyada üst %10
2

En çok atıf alan makaleleri

  1. The effect of gamma irradiation on electrical and dielectric properties of organic based Schottky barrier diodes SBDs at room temperature 2012 31 atıf
  2. Diode-to-diode variation in dielectric parameters of identically prepared metal-ferroelectric-semiconductor structures 2017 30 atıf
  3. The effect of gamma irradiation on electrical characteristics of Au polyvinyl alcohol Co Zn doped n Si Schottky barrier diodes 2010 24 atıf

h-indeks ve atıflar, bu akademisyenin YÖKSİS makalelerinden OpenAlex’te eşleşenlerin atıf sayılarından hesaplanır (Google Scholar, WoS veya Scopus değildir). Eşleşmeyen makalelerin atıfı dahil değildir. Ortak yazarların YÖKSİS kayıtlarında bu akademisyenin YÖK kimliğiyle etiketlenen 10 makale (173 atıf) yalnızca atıf, h-indeks ve i10 hesabına katılır; makale sayıları, yüzdelik dilimler ve sıralamalar kendi YÖKSİS listesinden hesaplanır.

Alan sıralaması

YÖKSİS ?

İşbirliği ağı

YÖKSİS eser kayıtlarındaki yazar listelerinden. Aynı eserin mükerrer kayıtları bir kez sayılır; kurumlar ortak yazarların YÖKSİS’teki güncel kurumudur.

Ortak yazar
18
akaturk profili olan
9
Ulusal kurum
4
Ortak yazarlı eser
%54

Ortak çalıştığı akademisyenler 9

  1. MERT YILDIRIM Profesör · Düzce Üniversitesi 7
  2. HAYRİYE GÖKÇEN ÇETİNKAYA Profesör · Gazi Üniversitesi aynı üniversite 5
  3. SEDA BENGİ Doçent · Başkent Üniversitesi 2
  4. SELÇUK DEMİREZEN Profesör · Amasya Üniversitesi 2
  5. SÜLEYMAN ÖZÇELİK Profesör · Gazi Üniversitesi aynı üniversite 2
  6. İLBİLGE DÖKME Profesör · Gazi Üniversitesi aynı üniversite 2
  7. ADEM TATAROĞLU Profesör · Gazi Üniversitesi aynı üniversite 1
  8. SEÇKİN ALTINDAL YERİŞKİN Profesör · Gazi Üniversitesi aynı üniversite 1
  9. ÇİĞDEM BİLKAN Profesör · Tokat Gaziosmanpaşa Üniversitesi 1

Ulusal işbirliği 4 kurum

Kurum içi10 ortak eser · Gazi Üniversitesi

  1. Düzce Üniversitesi 7 eser · 1 akademisyen
  2. Amasya Üniversitesi 2 eser · 1 akademisyen
  3. Başkent Üniversitesi 2 eser · 1 akademisyen
  4. Tokat Gaziosmanpaşa Üniversitesi 1 eser · 1 akademisyen

Diğer ortak yazarlar (yabancı yazarlar dahil) 9

ŞEMSETTİN ALTINDAL 10Y. Azizian-Kalandaragh 2A G EROĞLUA. DemirciCanan ŞAHİNG AslanbasM. Ulusoyjulius jellinekziya güvenç

akaturk profili olmayan yazarlar (yabancı araştırmacılar, emekli/ayrılmış akademisyenler, öğrenciler, klinisyenler) isim yazımına göre birleştirilir; “Güllüce M.” gibi kısaltmalar tek bir tam adla eşleşiyorsa o kişiye eklenir.

Dizin çeyrekleri

?
Scopus (SJR) 14
  • Q1 4 %28,6
  • Q2 6 %42,9
  • Q3 3 %21,4
  • Q4 1 %7,1
WoS (JCR) 15
  • Q1 3 %20,0
  • Q2 6 %40,0
  • Q3 2 %13,3
  • Q4 4 %26,7
TR Index 0 makale
OpenAlex atıf yüzdelik
Üst %10
Üst %102
Ort. · n 13 %73,8
Diğer sayımlar

Scopus (SJR)

  • YÖKSİS satırı 14

WoS (JCR)

  • YÖKSİS satırı 15

Makaleler

YÖKSİS ve OpenAlex kaynak ayrımıyla makaleler; quartile ve TR Index ile daraltabilirsiniz.

28makale

Yayını olan dergiler

12 dergi

Daralt

Scopus (SJR)
Q14 Q26 Q33 Q41
WoS (JCR)
Q13 Q26 Q32 Q44
TR Index
0makale

Makale listesi

  1. 2024 The current–voltage (I–V) characteristics and low–high impedance measurements (C/G–V) of Au/(AgCdS:PVP)/n-Si Schottky diode (SD) at dark and under illumination conditions Journal of Materials Science: Materials in Electronics DOI 10.1007/s10854-024-14014-0 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q2 OpenAlex 85.6%
  2. 2024 Investigation of the frequency effect on electrical modulus and dielectric properties of Al/p-Si structure with %0.5 Bi:ZnO interfacial layer Ionics DOI 10.1007/s11581-024-05527-z YÖKSİS SJR Q2 JCR Q3 OpenAlex 84.3%
  3. 2024 The Frequency Dependent of Main Electrical Parameters, Conductivity and Surface States in the Al/ (%0.5 Bi:ZnO)/p-Si/Au (MIS) Structures Silicon DOI 10.1007/s12633-024-02929-6 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q2 OpenAlex üst %10 OpenAlex 91.4%
  4. 2023 Optoelectronic characterization of Bi-doped ZnO nanocomposites for Schottky interlayer applications Physica B: Condensed Matter DOI 10.1016/j.physb.2023.415338 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q2 OpenAlex 84.9%
  5. 2021 Frequency and voltage-dependent electrical parameters, interface traps, and series resistance profile of Au/(NiS:PVP)/n-Si structures Journal of Materials Science: Materials in Electronics DOI 10.1007/s10854-021-05947-x YÖKSİS SJR Q2 JCR Q2 OpenAlex üst %10 OpenAlex 91.6%
  6. 2020 The origin of anomalous peak and negative capacitance in the forward bias C-V characteristics of Au/n-GaAs contacts at low temperatures (T <= 300 K) JOURNAL OF OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS YÖKSİS SJR Q3 JCR Q4
  7. 2020 Distribution of interface traps in Au/2 GC-doped Ca3Co4Ga0.001Ox/n-Si structures Journal of Applied Polymer Science DOI 10.1002/app.48399 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q2 OpenAlex 72.8%
  8. 2017 Diode-to-diode variation in dielectric parameters of identically prepared metal-ferroelectric-semiconductor structures Journal of Alloys and Compounds DOI 10.1016/j.jallcom.2017.09.030 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q1 OpenAlex 89.6%
  9. 2017 Two-diode behavior in metal-ferroelectric-semiconductor structures with bismuth titanate interfacial layer International Journal of Modern Physics B DOI 10.1142/S0217979217501971 YÖKSİS SJR Q4 JCR Q4 OpenAlex 57.0%
  10. 2017 Effects of Frequency and Bias Voltage on Dielectric Properties and Electric Modulus of Au/Bi4Ti3O12/n-Si (MFS) Capacitors Politeknik Dergisi DOI 10.2339/politeknik.369147 YÖKSİS JCR Q4 OpenAlex 13.6%
  11. 2017 Electrical and Dielectric Properties of a n-Si Schottky Barrier Diode with Bismuth Titanate Interlayer: Effect of Temperature Journal of Electronic Materials DOI 10.1007/s11664-016-5255-1 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q3 OpenAlex 68.8%
  12. 2017 Correlation between barrier height and ideality factor in identicallyprepared diodes of Al/Bi4Ti3O12/p-Si (MFS) structure with barrierinhomogeneity Journal of Alloys and Compounds DOI 10.1016/j.jallcom.2017.06.037 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q1 OpenAlex 86.5%
  13. 2015 Reactions of small Ni clusters with a diatomic molecule MD simulation of D 2 Ni n n 7 10 systems SURFACE SCIENCE YÖKSİS
  14. 2014 Gaussian distribution of inhomogeneous barrier height in Au n Si 111 Schottky barrier diodes at low temperatures MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING YÖKSİS
  15. 2014 Influence of interfacial layer thickness on frequency dependent dielectric properties and electrical conductivity in Al Bi4Ti3O12 p Si structures JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A YÖKSİS
  16. 2013 Controlling the electrical characteristics of Al p Si structures through Bi4Ti3O12 interfacial layer CURRENT APPLIED PHYSICS YÖKSİS
  17. 2013 Analyses of temperature-dependent interface states, series resistances, and AC electrical conductivities of Al/p-Si and Al/Bi4Ti3O12/p-Si structures by using the admittance spectroscopy method Chinese Physics B DOI 10.1088/1674-1056/22/10/108502 YÖKSİS SJR Q3 JCR Q2 OpenAlex 80.9%
  18. 2012 The effect of gamma irradiation on electrical and dielectric properties of organic based Schottky barrier diodes SBDs at room temperature RADIATION PHYSICS AND CHEMISTRY YÖKSİS
  19. 2011 On the profile of temperature and voltage dependence of interface states and resistivity in Au n Si structure with 79 angstrom insulator layer thickness JOURNAL OF OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS YÖKSİS
  20. 2010 Extraction of the series resistance and interface states in Au/n-Si(111) Schottky barrier diodes (SBDs) with native insulator layer using I-V-T and C-V-T measurement methods JOURNAL OF OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS YÖKSİS SJR Q3 JCR Q4

← Akademisyenlere dön