İçeriğe geç
akaturk Akademik ölçüm

Makale detayı · 2009 · article

The electrical optical and structural properties of GaN epitaxial layers grown on Si 111 substrate with interlayers

ISSN0749-6036
YÖKSİS OpenAlex Açık erişim · bronze
Yıl2009
Atıf16OpenAlex
Yüzdelik%76,3
FWCI1,051,00 = dünya ortalaması
Scopus (SJR)Q1
WoS (JCR)Q3

Veri kaynağı ayrımı

  • YÖKSİSYÖKSİS makale kaydı
  • YÖKSİS dergi adıSuperlattices and Microstructures
  • Katalog eşleşmesi (ISSN)Superlattices and Microstructures
  • OpenAlexOpenAlex zenginleştirmesi (özet, atıf, konular)
  • Semantic Scholaratıf sayısı (OpenAlex ile birleştirilmez)

Özet

Özet henüz derlenmedi; DergiPark / OpenAlex kuyruğu işlenince burada görünecek.

Konular

Atıflar

OpenAlex cited_by_count. WoS veya Scopus atıf sayısı değildir; o kaynaklar için ayrı kolon yoktur.

16atıfOpenAlex · cited_by_count (önbellek / veritabanı)

Yerel katalogda bu makaleye atıf yapan 2 yayın (OpenAlex referans eşleşmesi; tam dünya listesi değildir).

  1. 2013 Strain analysis of the GaN epitaxial layers grown on nitridated Si 111 substrate by metal organic chemical vapor depositionAtıf 26 · OpenAlex
  2. 2013 Strain analysis of the GaN epitaxial layers grown on nitridated Si 111 substrate by metal organic chemical vapor depositionAtıf 26 · OpenAlex

Yazarlar

6
  1. Engin Arslan 1
  2. Duygulu Özgür 2
  3. ALİ ARSLAN KAYA 3
  4. ALİ TEKE BALIKESİR ÜNİVERSİTESİ 4
  5. SÜLEYMAN ÖZÇELİK 5
  6. EKMEL ÖZBAY 6