Akademisyen

MERT YILDIRIM

PROFESÖR

DÜZCE ÜNİVERSİTESİ MÜHENDİSLİK FAKÜLTESİ MEKATRONİK MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ

Ana Dal Fen Bilimleri ve Matematik Temel Alanı
Yan Dal Fizik

Makale 37 YÖKSİS · 37 OpenAlex · 0

Proje 7

Kitap 0

Bildiri 13

Yayın sayısı iki kaynaktan gelir ve her kaynak ayrı gösterilir: YÖKSİS (akademisyen beyanı) ve OpenAlex (açık akademik katalog). Patent ve sanatsal etkinlikler aşağıdaki Çalışmalar sekmelerinde yer alır.

Dizin çeyrekleri

Scopus (SJR)

32 Toplam

Q1 10
Q2 15
Q3 6
Q4 1

Diğer sayımlar

YÖKSİS satırı 32 Q1 0 Q2 0 Q3 0 Q4 0

WoS (JCR)

33 Toplam

Q1 8
Q2 12
Q3 9
Q4 4

Diğer sayımlar

YÖKSİS satırı 33 Q1 0 Q2 0 Q3 0 Q4 0

TR Index

3 makale

OpenAlex atıf yüzdelikleri

Üst %1 makale 0

Üst %10 makale 0

Ort. yüzdelik 64.1%

Yüzdelikli makale 32

OpenAlex atıf yüzdeliği; kapsanan yayınlar (~%52).

Bu göstergeler ne anlama geliyor?

Q1–Q4: Yayının çıktığı derginin ilgili indeksteki (Scopus/WoS) çeyrek dilimi. Q1 en üst %25, Q4 en alt %25.
Üst %1 / üst %10: Aynı alan ve yılda, dünyada en çok atıf alan %1 veya %10 içindeki yayın sayısı.
Ort. yüzdelik: Yayınların atıf persentillerinin ortalaması (100 = en üst).
Kaynak: indeks çeyrekleri Scopus/WoS ve TR Index bayrakları; atıf persentilleri OpenAlex.

Bildiriler

YÖKSİS’te kayıtlı konferans bildirileri.

Kayıtlar

13 / 13 gösteriliyor

2014 The effects of Series resistance and interface trap on Current Voltage I-V Characteristics in Au/n- Si 111 Schottky Barrier diodes SBDs at Low Temperatures International Semiconductor Science and Technology Conference
2018 Frequency Dependence of Electrical Parameters of Au/n-Si structures with 2 graphene–cobalt doped (Ca3Co4Ga0.001Ox) interfacial layer 5th Internatıonal conference on materials science and advanced-nanotechnologies for next generation (MSNG2018)
2014 Dielectric Characteristics of Gamma Irradiated MOS Capacitor International Semiconductor Science and Technology Conference
2018 The dielectric characteristics of Au/n-GaAs junction for different frequencies at 120 K 5th Internatıonal conference on materials science and advanced-nanotechnologies for next generation (MSNG2018)
2017 Dielectric Constant, Electric Modulus and Electrical Conductivity in Identically Prepared Diodes of Al/Bi4Ti3O12/p-Si (MFS) Structure with Barrier and Thickness Inhomogeneity 4th International conference on materials science and nanotechnology for next generation (MSNG2017)
2018 Investigation of Admittance Characteristics of Au/2 graphene-cobalt doped (Ca3Co4Ga0.001Ox)/n-Si MIS structure 5th Internatıonal conference on materials science and advanced-nanotechnologies for next generation (MSNG2018)
2018 The capacitance characteristics of Au/n-GaAs junction in the temperature range of 80-300 K 5th Internatıonal conference on materials science and advanced-nanotechnologies for next generation (MSNG2018)
2011 The Interfacial Insulator Layer And Series Resistance Effect on Electrical Characteristics of Au/n- Si Structures Türk Fizik Derneği 28. Uluslararası Fizik Kongresi
2017 Effects of Semiconductor Quantum Dots on the Dielectric Properties of 4-pentyl-4′-cyanobiphenyl Liquid Crystalline Medium 4th International conference on materials science and nanotechnology for next generation (MSNG2017)
2019 Quantum dot nanoparticle size effects on electro-optical and dielectric characteristic of nematic liquid crystals 2nd International Eurasian Conference on Biological and Chemical Sciences (EurasianBioChem 2019)
2017 Poli(propilen glikol)-b-Polistiren Blok Kopolimer Ara Yüzey Tabakalı Schottky Diyotlarda Akım İletimi 6. Fiziksel Kimya Kongresi
2011 Frequency Dependent Electrical Characteristics of Au/Bi4Ti3O12 BTO/p-Si Metal Ferroelectric Semiconductor MFS Structures Türk Fizik Derneği 28. Uluslararası Fizik Kongresi
2017 Surface States, Series Resistance and Interfacial Bi4Ti3O12 Layer Effects on the Electrical and dielectric Properties of Al/Bi4Ti3O12/p-Si (MFS) Structure 4th International conference on materials science and nanotechnology for next generation (MSNG2017)

Akademisyenlere dön