Akademisyen
H**** A****
PROFESÖR
ÇANKIRI KARATEKİN ÜNİVERSİTESİ FEN FAKÜLTESİ FİZİK BÖLÜMÜ
- Ana Dal Fen Bilimleri ve Matematik Temel Alanı
- Yan Dal Fizik
Yayın sayısı iki kaynaktan gelir ve her kaynak ayrı gösterilir: YÖKSİS (akademisyen beyanı) ve OpenAlex (açık akademik katalog). Patent ve sanatsal etkinlikler aşağıdaki Çalışmalar sekmelerinde yer alır.
Dizin çeyrekleri
Aynı makale YÖKSİS’te birden fazla satır olabilir. Aşağıda üç sayım yöntemi yan yana; bunlar bir başarı sıralaması değil, yayınların nerede yer aldığını anlatan bağlamdır.
Scopus (SJR)
-
DOI kimliği Aynı DOI = 1 makale. Kurumsal sıralama ile hizalı.
24 Toplam
- Q1 7
- Q2 14
- Q3 3
- Q4 0
-
Özet hariç DOI kimliği; YÖKSİS türü özet / abstract olanlar çıkarılır.
24 Toplam
- Q1 7
- Q2 14
- Q3 3
- Q4 0
-
En iyi Q Aynı DOI bir kez; kopyalar farklı çeyrekteyse en iyi kovaya yazılır. Kovaların toplamı = toplam.
24 Toplam
- Q1 7
- Q2 14
- Q3 3
- Q4 0
YÖKSİS satırı 24 Ham kayıt: aynı makalenin birden fazla YÖKSİS satırı ayrı sayılır. Varsayılan sayı değildir.
WoS (JCR)
-
DOI kimliği Aynı DOI = 1 makale. Kurumsal sıralama ile hizalı.
24 Toplam
- Q1 5
- Q2 8
- Q3 8
- Q4 3
-
Özet hariç DOI kimliği; YÖKSİS türü özet / abstract olanlar çıkarılır.
24 Toplam
- Q1 5
- Q2 8
- Q3 8
- Q4 3
-
En iyi Q Aynı DOI bir kez; kopyalar farklı çeyrekteyse en iyi kovaya yazılır. Kovaların toplamı = toplam.
24 Toplam
- Q1 5
- Q2 8
- Q3 8
- Q4 3
YÖKSİS satırı 24 Ham kayıt: aynı makalenin birden fazla YÖKSİS satırı ayrı sayılır. Varsayılan sayı değildir.
TR Index
-
DOI kimliği Aynı DOI = 1 makale. Kurumsal sıralama ile hizalı.
0 makale
-
Özet hariç DOI kimliği; YÖKSİS türü özet / abstract olanlar çıkarılır.
0 makale
-
En iyi Q Aynı DOI bir kez; kopyalar farklı çeyrekteyse en iyi kovaya yazılır. Kovaların toplamı = toplam.
0 makale
YÖKSİS satırı 0 Ham kayıt: aynı makalenin birden fazla YÖKSİS satırı ayrı sayılır. Varsayılan sayı değildir.
DOI aynı olsa da kayıtlar nadiren farklı başlıklı olabilir.
Sayılar YÖKSİS kopyaları ve indeks bayraklarından üretilir (Scopus/SJR, JCR/WoS, TR Index ayrı). Kaynaklar tek toplamda birleştirilmez.
OpenAlex atıf yüzdelikleri
Üst %1 makale
0
Üst %10 makale
1
Ort. yüzdelik
67.7%
Üst %1 payı
0.0%
Üst %10 payı
4.2%
Atıf temelli göstergeler OpenAlex kaynaklıdır. OpenAlex atıf kapsamı şu anda yaklaşık %52,4; bu göstergeler yalnızca kapsanan yayınları yansıtır ve kapsam zamanla artar.
Bu göstergeler ne anlama geliyor?
- Q1–Q4: Yayının çıktığı derginin ilgili indeksteki (Scopus/WoS) çeyrek dilimi. Q1 en üst %25, Q4 en alt %25.
- Üst %1 / üst %10: Aynı alan ve yılda, dünyada en çok atıf alan %1 veya %10 içindeki yayın sayısı.
- Ort. yüzdelik: Yayınların atıf persentillerinin ortalaması (100 = en üst).
- Kaynak: indeks çeyrekleri Scopus/WoS ve TR Index bayrakları; atıf persentilleri OpenAlex.
Bildiriler
YÖKSİS’te kayıtlı konferans bildirileri.
Kayıtlar
- 2016 Dielectric behavior of AlN thin films deposited on p Si substrates by hollow cathode plasma assisted atomic layer deposition
- The Phonon Dispersion of Ni-45%Pd Alloy
- Inx Ga1-x As/ GaAs (x= 0,15) Superlattice Structure Growth by MBE and Its XRD and Electrical Characterizations
- Boronic Acid Functionalized Carbon Nanotube Field Effect Transistors (CNT-FETs) for Glucose Sensing
- Investigation of Current Conduction Mechanisms in SiO2 Dielectrıc Films
- 2017 Analysis of Interface States in Amorphous-AL2O3 Dielectric Thin Films
- 2017 Electrical Characteristics of Atomic Layer Deposited HFO2 Dielectric Films
- Effect of post-deposition annealing on the electrical characteristics of ß?Ga2O3 thinfilms deposited by PEALD
- Electrical Characteristics of Ga2O3 Thin Films Deposited by Plasma enhanced Atomic Layer Deposition
- The barrier height inhomogeneity in Au/n-GaAs Schottky barrier diodes
- 2017 THE EFFECTS OF THERMAL ANNEALING ON THE ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF AL2O3 THIN FILMS GROWN BY ATOMIC LAYER DEPOSITION
- 2017 Electrical Conduction Mechanisms in HfO2 Dielectric Films Deposited by Thermal Atomic Layer Deposition
- Stokes shift in In0.13Ga0.87N epitaxial layer grown by MOVPE
- Growth and Characterization of AlGaAs/GaAs Multi-Quantum Well Infrared Photodetector Structure”
- Current-voltage characteristics of Au/n-GaAs Schottky barrier diodes in wide temperature ranges
- In0.15Ga0.85As/GaAs Çoklu Kuantum Kuyulu Kızılötesi Fotodedektör Yapısının MBE Yöntemi İle Büyütülmesi ve Karakterizasyonu
- Analysis of interface states and series resistance of Au/SiO2/n-GaAs Schottky barrier diodes at room temperature
- Investigations of Current-Voltage and Capacitance-Voltage Characteristics of Al2O3 Dielectric Films
- 2017 Dielectrical Properties of HFO2 Dielectric Films
- The Frequency Dependent Electrical Characteristics of Au/SiO2/n-GaAs (MOS) Type Devices