Akademisyen
EVRİN TUĞAY
Doktor Öğretim Üyesi
Recep Tayyip Erdoğan Üniversitesi Mühendislik Ve Mimarlık Fakültesi Makine Mühendisliği Bölümü
- Solid-state spectroscopy and crystallography2
- Chalcogenide Semiconductor Thin Films1
- Silicon Nanostructures and Photoluminescence1
- Phase-change materials and chalcogenides1
- Nonlinear Optical Materials Research1
- Ion-surface interactions and analysis1
- Crystal Structures and Properties1
- Carbon and Quantum Dots Applications1
- Ana Dal Fen Bilimleri ve Matematik Temel Alanı
- Yan Dal Fizik
Atıf etkisi
OpenAlex YÖKSİS makalelerinden OpenAlex’te eşleşen: 3 + YÖKSİS · ortak yazar kaydı: 4- i10-indeks
- 6
- Toplam atıf
- 99 Türkiye’de üst %58
- Makale başına
- 14,1
- FWCI
- 0,77 1,00 = dünya ortalaması
- Dünyada üst %1
- 0
- Dünyada üst %10
- 0
En çok atıf alan makaleleri
Nasıl hesaplanır?
h-indeks ve atıflar, bu akademisyenin YÖKSİS makalelerinden OpenAlex’te eşleşenlerin atıf sayılarından hesaplanır (Google Scholar, WoS veya Scopus değildir). Eşleşmeyen makalelerin atıfı dahil değildir. Ortak yazarların YÖKSİS kayıtlarında bu akademisyenin YÖK kimliğiyle etiketlenen 4 makale (73 atıf) yalnızca atıf, h-indeks ve i10 hesabına katılır; makale sayıları, yüzdelik dilimler ve sıralamalar kendi YÖKSİS listesinden hesaplanır.
Alan sıralaması
YÖKSİS ?-
Ana dal Fen Bilimleri ve Matematik Temel AlanıPuan sırası #9.130/ 11.969 üst %76,3 Üniversitede #89/ 102Puan 4,2 dergi 4,2 · OA ek 0
- Makale sırası8.001/11.969
- Scopus sırası9.714/11.969
- WoS sırası9.646/11.969
- YÖKSİS12
- Scopus3
- WoS3
-
Yan dal FizikPuan sırası #2.023/ 2.615 üst %77,4 Üniversitede #19/ 22Puan 4,2 dergi 4,2 · OA ek 0
- Makale sırası1.766/2.615
- Scopus sırası2.138/2.615
- WoS sırası2.132/2.615
- YÖKSİS12
- Scopus3
- WoS3
Anahtar kelime sıralamaları 3
-
Kel. Malzeme FiziğiPuan sırası #533/ 608 üst %87,7 Üniversitede #8/ 8Puan 4,2 dergi 4,2 · OA ek 0
-
Kel. NanoteknolojiPuan sırası #1.370/ 1.668 üst %82,1 Üniversitede #9/ 9Puan 4,2 dergi 4,2 · OA ek 0
-
Kel. SpektroskopiPuan sırası #668/ 750 üst %89,1 Üniversitede #11/ 11Puan 4,2 dergi 4,2 · OA ek 0
İşbirliği ağı
YÖKSİS eser kayıtlarındaki yazar listelerinden. Aynı eserin mükerrer kayıtları bir kez sayılır; kurumlar ortak yazarların YÖKSİS’teki güncel kurumudur.
- Ortak yazar
- 21
- akaturk profili olan
- 3
- Ulusal kurum
- 3
- Ortak yazarlı eser
- %100
Ortak çalıştığı akademisyenler 3
- RAŞİT TURAN Profesör · Orta Doğu Teknik Üniversitesi 7
- ERCAN YILMAZ Profesör · Bolu Abant İzzet Baysal Üniversitesi 4
- MEHMET IŞIK Profesör · İzmir Bakırçay Üniversitesi 2
Ulusal işbirliği 3 kurum
- Orta Doğu Teknik Üniversitesi 7 eser · 1 akademisyen
- Bolu Abant İzzet Baysal Üniversitesi 4 eser · 1 akademisyen
- İzmir Bakırçay Üniversitesi 2 eser · 1 akademisyen
Diğer ortak yazarlar (yabancı yazarlar dahil) 18
EVRİN TUĞAY NAP MOGADDAM 5HÜSNÜ ÖZKAN 3NİZAMİ GASANLİ 3ALİAKBER AKTAĞ 2N M Gasanly 2A CANTAŞARİF SİNAN ALAGÖZB FOSSGÜLNUR AYGÜNMEHMET PARLAKNUH SADİ YÜKSEKSELÇUK YERCİSergio T ShishiyanuSerim İldayT G FİNSTADTS ShishiyanuTreje G FinstadİLKER YILDIZ
akaturk profili olmayan yazarlar (yabancı araştırmacılar, emekli/ayrılmış akademisyenler, öğrenciler, klinisyenler) isim yazımına göre birleştirilir; “Güllüce M.” gibi kısaltmalar tek bir tam adla eşleşiyorsa o kişiye eklenir.
Dizinler ve atıf yüzdelikleri
?Diğer sayımlar
Scopus (SJR)
- YÖKSİS satırı 3
WoS (JCR)
- YÖKSİS satırı 3
Makaleler
YÖKSİS ve OpenAlex kaynak ayrımıyla makaleler; quartile ve TR Index ile daraltabilirsiniz.
Yayını olan dergiler
4 dergi
Daralt
Makale listesi
- 2016 Temperature tuned band gap energy and oscillator parameters of GaS0 5Se0 5 single crystals YÖKSİS SJR Q2 JCR Q4 OpenAlex 3.6%
- 2016 Investigation of Photoluminescence Mechanisms from SiO2 Si SiO2 SiO2 Structures in Weak Quantum Confined Regime by Deconvolution of Photoluminescence Spectra YÖKSİS SJR Q2 JCR Q3 OpenAlex 63.3%
- 2016 Temperature dependent optical properties of GaSe layered single crystals YÖKSİS SJR Q2 JCR Q2 OpenAlex 44.7%
- 2014 Influence of Ge content and annealing conditions on the PL properties of nc Si1 xGex embedded in SiO2 matrix in weak quantum confined regime YÖKSİS
- 2012 Influence of gamma irradiation on the C V characteristics of the Al SiNx Si MIS capacitors YÖKSİS
- 2012 Surface morphology and depth profile study of Cd1 xZnxTe alloy nanostructures YÖKSİS
- 2011 Improvement of SiO2 Ge SiO2 Si nanostructures by low dose radiation YÖKSİS
- 2010 Ge nanocrystals embedded in SiO2 in MOS based radiation sensors YÖKSİS
- 2008 Phase separation in SiGe nanocrystals embedded in SiO2 matrix during high temperature annealing YÖKSİS
- 2006 Thermally stimulated currents in layered semiconductor Tl4In3GaS8 YÖKSİS
- 2006 Determination of trapping center parameters of Tl2InGaS4 layered crystals by thermally stimulated current measurements YÖKSİS
- 2006 Thermally stimulated current observation of trapping centers in an undoped Tl4Ga3InSe8 layered single crystal YÖKSİS