İçeriğe geç
akaturk Akademik ölçüm
Giriş yap Kayıt ol

Akademisyen

PINAR DOĞAN

Profesör

Muğla Sıtkı Koçman Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölümü

Araştırma konuları OpenAlex
  1. Ana Dal Fen Bilimleri ve Matematik Temel Alanı
  2. Yan Dal Fizik
Anahtar kelimeler YÖKSİS
Makale 20 YÖKSİS 20 · OpenAlex 0 Toplam atıf 758 h-indeks 15 · OpenAlex Q1 makale 3 Scopus · WoS Q1 1 Ortak yazar 64 0 Türk kurumu

Atıf etkisi

OpenAlex YÖKSİS makalelerinden OpenAlex’te eşleşen: 19
h-indeks 15 Türkiye yüzdelik dilimi: 94 Üniversitesinde h-indekse göre 35. / 1.338
i10-indeks
16
Toplam atıf
758
Türkiye’de üst %6,9
Makale başına
39,9
FWCI
3,69
1,00 = dünya ortalaması
Dünyada üst %1
0
Dünyada üst %10
11

En çok atıf alan makaleleri

  1. Luminescence associated with stacking faults in GaN 2014 dünyada üst %10 120 atıf
  2. Direct experimental determination of the spontaneous polarization of GaN 2012 dünyada üst %10 119 atıf
  3. Polycrystalline Silicon Thin Film Solar Cells On Glass 2009 dünyada üst %10 85 atıf
Nasıl hesaplanır?

h-indeks ve atıflar, bu akademisyenin YÖKSİS makalelerinden OpenAlex’te eşleşenlerin atıf sayılarından hesaplanır (Google Scholar, WoS veya Scopus değildir). Eşleşmeyen makalelerin atıfı dahil değildir.

Alan sıralaması

YÖKSİS ?
Anahtar kelime sıralamaları 3

İşbirliği ağı

YÖKSİS eser kayıtlarındaki yazar listelerinden. Aynı eserin mükerrer kayıtları bir kez sayılır; kurumlar ortak yazarların YÖKSİS’teki güncel kurumudur.

Ortak yazar
64
akaturk profili olan
0
Ulusal kurum
0
Ortak yazarlı eser
%100

Ortak çalıştığı akademisyenler 0

akaturk profili olan ortak yazar bulunamadı.

Ulusal işbirliği 0 kurum

Başka bir Türk üniversitesiyle ortak eser bulunamadı.

Diğer ortak yazarlar (yabancı yazarlar dahil) 64

oliver brandt 10Gall S. 7B Gorka 6lutz geelhaar 6B Rau 5Fenske F. 5KY Lee 5uwe jahn 5B Rech 4H Riechert 4achim trampert 4carsten pfüller 4sergio fernandez garrido 4C Becker 3C Roder 3E Conrad 3F Ruske 3jonas laehnemann 3vladimir kaganer 3B Jenichen 2Weber T. 2holger grahn 2karl sabelfeld 2timur flissikowski 2A BelabbesA-K BluhmAtanassova E.Beaucarne G.Bender H.Bian LifengC PfuellerF BechstedtF GrosseFarshchi R.Gao C. X.Gong XiaojingGordon I.Gunes M.J HüpkesJ Lähnemann

Tümünü göster (64)

Limbach FM BerginskiM KnelangenOzdag P.Poortmans J.Rudigier E.Sieber I.T HänelVan Gestel D.Xu KeYang HuiZhang Xiaoliangchristian hauswaldda chaiha yangjf wangjohannes zettlerka xulf bianmattia musolinopierre corfdirxiang kongxj gongŞeyda Olgun

akaturk profili olmayan yazarlar (yabancı araştırmacılar, emekli/ayrılmış akademisyenler, öğrenciler, klinisyenler) isim yazımına göre birleştirilir; “Güllüce M.” gibi kısaltmalar tek bir tam adla eşleşiyorsa o kişiye eklenir.

Dizinler ve atıf yüzdelikleri

?
TR Index 0 makale
OpenAlex atıf yüzdelik
Üst %10
Üst %1011
Ort. · n 19 %82,8
Diğer sayımlar

Scopus (SJR)

  • YÖKSİS satırı 3

WoS (JCR)

  • YÖKSİS satırı 3

Makaleler

YÖKSİS ve OpenAlex kaynak ayrımıyla makaleler; quartile ve TR Index ile daraltabilirsiniz.

20makale

Yayını olan dergiler

3 dergi

Daralt

Scopus (SJR)
Q13 Q20 Q30 Q40
WoS (JCR)
Q11 Q22 Q30 Q40
TR Index
0makale

Makale listesi

  1. 2016 The hydride vapor phase epitaxy of GaN on silicon covered by nanostructures Semiconductor Science and Technology DOI 10.1088/0268-1242/31/6/065018 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q2 OpenAlex 2.5%
  2. 2016 Nucleation Growth and Bundling of GaN Nanowires in Molecular Beam Epitaxy Disentangling the Origin of Nanowire Coalescence Nano Letters DOI 10.1021/acs.nanolett.6b01044 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q1 OpenAlex üst %10 OpenAlex 96.8%
  3. 2016 Nature of excitons bound to inversion domain boundaries Origin of the 3 45 eV luminescence lines in spontaneously formed GaN nanowires on Si 111 Physical Review B DOI 10.1103/PhysRevB.94.155308 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q2 OpenAlex 83.0%
  4. 2014 Atomic scale behavior of adatoms in axial and radial growth of GaN nanowires Molecular dynamics simulations Japanese Journal of Applied Physics DOI 10.7567/JJAP.53.085601 YÖKSİS OpenAlex 59.7%
  5. 2014 Luminescence associated with stacking faults in GaN J. Phys. D: Appl. Phys. DOI 10.1088/0022-3727/47/42/423001 YÖKSİS OpenAlex üst %10 OpenAlex 98.3%
  6. 2013 Height self equilibration during the growth of dense nanowire ensembles Order emerging from disorder Applied Physics Letters DOI 10.1063/1.4822110 YÖKSİS OpenAlex üst %10 OpenAlex 91.6%
  7. 2012 Inhomogeneous strain in GaN nanowires determined from x ray diffraction peak profiles Physical Review B DOI 10.1103/PhysRevB.86.115325 YÖKSİS OpenAlex üst %10 OpenAlex 93.8%
  8. 2012 Direct experimental determination of the spontaneous polarization of GaN Physical Review B DOI 10.1103/PhysRevB.86.081302 YÖKSİS OpenAlex üst %10 OpenAlex 98.9%
  9. 2011 Formation of High Quality GaN Microcrystals by Pendeoepitaxial Overgrowth of GaN Nanowires on Si 111 by Molecular Beam Epitaxy Crystal Growth and Design DOI 10.1021/cg200801x YÖKSİS OpenAlex üst %10 OpenAlex 91.3%
  10. 2011 GaN nanowire templates for the pendeoepitaxial coalescence overgrowth on Si 111 by molecular beam epitaxy Journal of Crystal Growth DOI 10.1016/j.jcrysgro.2010.12.081 YÖKSİS OpenAlex üst %10 OpenAlex 90.7%
  11. 2011 Macro and micro strain in GaN nanowires on Si 111 Nanotechnology DOI 10.1088/0957-4484/22/29/295714 YÖKSİS OpenAlex üst %10 OpenAlex 96.2%
  12. 2011 GaN Fe core shell nanowires for nonvolatile spintronics on Si Physical Review B DOI 10.1103/PhysRevB.83.245323 YÖKSİS OpenAlex 68.7%
  13. 2010 Influence of hydrogen plasma on the defect passivation of polycrystalline Si thin film solar cells Plasma Processes and Polymers DOI 10.1002/ppap.200930202 YÖKSİS OpenAlex 79.4%
  14. 2009 Development of a rapid thermal annealing process for polycrystalline silicon thin film solar cells on glass Materials Science and Engineering B- Advanced Functional Solid-State Materials DOI 10.1016/j.mseb.2008.05.007 YÖKSİS OpenAlex 88.7%
  15. 2009 Investigation of intragrain defects in pc Si layers obtained by aluminum induced crystallization comparison of layers made by low and high temperature epitaxy Materials Science and Engineering B- Advanced Functional Solid-State Materials DOI 10.1016/j.mseb.2009.03.006 YÖKSİS OpenAlex 66.9%
  16. 2009 Solid Phase Crystallization Of Amorphous Silicon On ZnO Al For Thin Film Solar Cells Solar Energy Materials and Solar Cells DOI 10.1016/j.solmat.2008.09.059 YÖKSİS OpenAlex üst %10 OpenAlex 90.7%
  17. 2009 Polycrystalline Silicon Thin Film Solar Cells On Glass Solar Energy Materials and Solar Cells DOI 10.1016/j.solmat.2008.11.029 YÖKSİS OpenAlex üst %10 OpenAlex 98.3%
  18. 2008 Structural and electrical properties of epitaxial Si layers prepared by E beam evaporation Thin Solid Films DOI 10.1016/j.tsf.2007.12.082 YÖKSİS OpenAlex üst %10 OpenAlex 95.5%
  19. 2007 Low temperature epitaxy of silicon by electron beam evaporation Thin Solid Films DOI 10.1016/j.tsf.2006.11.161 YÖKSİS OpenAlex 82.0%
  20. 2005 The effects of oxide thickness on the interface and oxide properties of metal tantalum pentoxide Si MOS capacitors Journal of Optoelectronics and Advanced Materials YÖKSİS

← Akademisyenlere dön