İçeriğe geç
akaturk Akademik ölçüm
Giriş yap Kayıt ol

Akademisyen

MUHSİNE BİLGE İMER

Doçent

Orta Doğu Teknik Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Metalurji Ve Malzeme Mühendisliği Bölümü

Araştırma konuları OpenAlex
  1. Ana Dal Mühendislik Temel Alanı
  2. Yan Dal Malzeme ve Metalurji Mühendisliği
Anahtar kelimeler YÖKSİS
Makale 18 YÖKSİS 18 · OpenAlex 0 Toplam atıf 555 h-indeks 10 · OpenAlex Q1 makale 13 Scopus · WoS Q1 6 En iyi alan sırası #5.600 / 24.860 Ana dal · üst %22,5 Ortak yazar 39 2 Türk kurumu

Atıf etkisi

OpenAlex YÖKSİS makalelerinden OpenAlex’te eşleşen: 17 + YÖKSİS · ortak yazar kaydı: 1
h-indeks 10 Türkiye yüzdelik dilimi: 84 Üniversitesinde h-indekse göre 272. / 1.011
i10-indeks
10
Toplam atıf
555
Türkiye’de üst %10
Makale başına
30,8
FWCI
3,22
1,00 = dünya ortalaması
Dünyada üst %1
1
Dünyada üst %10
6

En çok atıf alan makaleleri

  1. Microstructural evolution of a plane GaN grown on a plane SiC by metalorganic chemical vapor deposition 2004 dünyada üst %10 134 atıf
  2. Improved quality 1120 a plane GaN with sidewall lateral epitaxial overgrowth 2006 dünyada üst %1 129 atıf
  3. Polarization anisotropy in GaN films for different nonpolar orientations studied by polarized photoreflectance spectroscopy 2006 dünyada üst %10 51 atıf
Nasıl hesaplanır?

h-indeks ve atıflar, bu akademisyenin YÖKSİS makalelerinden OpenAlex’te eşleşenlerin atıf sayılarından hesaplanır (Google Scholar, WoS veya Scopus değildir). Eşleşmeyen makalelerin atıfı dahil değildir. Ortak yazarların YÖKSİS kayıtlarında bu akademisyenin YÖK kimliğiyle etiketlenen 1 makale (6 atıf) yalnızca atıf, h-indeks ve i10 hesabına katılır; makale sayıları, yüzdelik dilimler ve sıralamalar kendi YÖKSİS listesinden hesaplanır. OpenAlex yazar profilindeki h-indeks: 12.

Alan sıralaması

YÖKSİS ?
Anahtar kelime sıralamaları 3

İşbirliği ağı

YÖKSİS eser kayıtlarındaki yazar listelerinden. Aynı eserin mükerrer kayıtları bir kez sayılır; kurumlar ortak yazarların YÖKSİS’teki güncel kurumudur.

Ortak yazar
39
akaturk profili olan
3
Ulusal kurum
2
Ortak yazarlı eser
%94

Ortak çalıştığı akademisyenler 3

  1. EKMEL ÖZBAY Profesör · İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi 2
  2. HÜSNÜ EMRAH ÜNALAN Profesör · Orta Doğu Teknik Üniversitesi aynı üniversite 1
  3. İPEK AKIN KARADAYI Profesör · İstanbul Teknik Üniversitesi 1

Ulusal işbirliği 2 kurum

Kurum içi1 ortak eser · Orta Doğu Teknik Üniversitesi

  1. İhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi 2 eser · 1 akademisyen
  2. İstanbul Teknik Üniversitesi 1 eser · 1 akademisyen

Diğer ortak yazarlar (yabancı yazarlar dahil) 36

STEVEN DENBAARS 13james speck 12SHUJI NAKAMURA 7FENG WU 5holger grahn 4pranob misra 4BENJAMIN HASKELL 3STACIA KELLER 3UMESH K MISHRA 3HÜSEYİN ÇAKMAK 2MICHAEL D CRAVEN 2SIDDHARTH RAJAN 2behn udo 2sandip ghosh 2ALVARO NAVARRO TOBARARPAN CHAKRABORTYBARRY ZHONGCARLOS RIVERADAVID R CLARKEDENİZ TUĞRULELIAS MUNOZGREGORY GARRETJOSE PEREIROKIM KWANGCHOONGMATT SCHMIDTMICHAEL WRABACKMUSTAFA TALHA ÖZTÜRKMax RitterMaxime DurocherOliver BrandtPAUL H SHENPHIL R TAVERNIERSEVİM POLAT GENLİKTOM MATESUMUTCAN ERTÜRKdoğancan tigan

akaturk profili olmayan yazarlar (yabancı araştırmacılar, emekli/ayrılmış akademisyenler, öğrenciler, klinisyenler) isim yazımına göre birleştirilir; “Güllüce M.” gibi kısaltmalar tek bir tam adla eşleşiyorsa o kişiye eklenir.

Dizinler ve atıf yüzdelikleri

?
TR Index 1 makale
OpenAlex atıf yüzdelik
Üst %11
Üst %106
Ort. · n 17 %75,6
Diğer sayımlar

Scopus (SJR)

  • YÖKSİS satırı 16

WoS (JCR)

  • YÖKSİS satırı 17

Makaleler

YÖKSİS ve OpenAlex kaynak ayrımıyla makaleler; quartile ve TR Index ile daraltabilirsiniz.

18makale

Yayını olan dergiler

12 dergi

Daralt

Scopus (SJR)
Q113 Q23 Q30 Q40
WoS (JCR)
Q16 Q29 Q31 Q41
TR Index
1makale

Makale listesi

  1. 2023 Development of AZO TCOs with ALD for HEMT and HJSC Solar Cell Applications Journal of Polytechnic DOI 10.2339/politeknik.873160 YÖKSİS JCR Q4 OpenAlex 40.5%
  2. 2023 Dynamics in between Structural and Electrical Properties of as Grown ZnO Thin Films by Thermal ALD Gazi Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi Part C: Tasarım ve Teknoloji DOI 10.29109/gujsc.1348409 YÖKSİS TR Index OpenAlex 6.8%
  3. 2021 A Comparative Analysis of Ternary Element Addition on Corrosion Behavior of Aluminide Coatings in Harsh Environmental Conditions Corrosion DOI 10.5006/3855 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q2 OpenAlex 47.4%
  4. 2021 Nonalloyed Ohmic Contacts in AlGaN/GaN HEMTs With MOCVD Regrowth of InGaN for Ka-Band Applications IEEE Transactions on Electron Devices DOI 10.1109/TED.2021.3050740 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q2 OpenAlex üst %10 OpenAlex 91.1%
  5. 2019 Core/Shell Copper Nanowire Networks for Transparent Thin Film Heaters NANOTECHNOLOGY DOI https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6528/ab19c6 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q2
  6. 2009 High responsivity A plane GaN based metal semiconductor metal photodetectors for polarization sensitive applications Applied Physics Letters DOI 10.1063/1.3143230 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q1 OpenAlex 86.9%
  7. 2008 Improved quality nonpolar a plane GaN AlGaN UV LEDs grown with sidewall lateral epitaxial overgrowth SLEO PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE DOI 10.1002/pssa.200723403 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q2 OpenAlex 80.7%
  8. 2008 Electrical characterization of low defect density nonpolar 11 20 a plane GaN grown with sidewall lateral epitaxial overgrowth SLEO Journal of Materials Research DOI 10.1557/JMR.2008.0069 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q2 OpenAlex 62.1%
  9. 2007 Growth evolution in sidewall lateral epitaxial overgrowth SLEO Journal of Crystal Growth DOI 10.1016/j.jcrysgro.2007.05.027 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q2 OpenAlex 87.4%
  10. 2007 Polarization anisotropy in nonpolar oriented GaN films studied by polarized photoreflectance spectroscopy PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE DOI 10.1002/pssa.200673539 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q2 OpenAlex 84.0%
  11. 2006 Stability of 1 1 over bar 00 m plane GaN films grown by metalorganic chemical vapor deposition Japanese Journal of Applied Physics DOI 10.1143/JJAP.45.8644 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q2 OpenAlex üst %10 OpenAlex 96.8%
  12. 2006 Optical polarization anisotropy in strained A plane GaN films on R plane sapphire PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS DOI 10.1002/pssb.200565297 YÖKSİS SJR Q2 JCR Q3 OpenAlex 54.3%
  13. 2006 Polarization anisotropy in GaN films for different nonpolar orientations studied by polarized photoreflectance spectroscopy Applied Physics Letters DOI 10.1063/1.2198086 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q1 OpenAlex üst %10 OpenAlex 98.7%
  14. 2006 Improved quality 1120 a plane GaN with sidewall lateral epitaxial overgrowth Applied Physics Letters DOI 10.1063/1.2172159 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q1 OpenAlex üst %1 OpenAlex 99.6%
  15. 2005 Intensity dependent time resolved photoluminescence studies of GaN AlGaN multiple quantum wells of varying well width on laterally overgrown a plane and planar c plane GaN PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE DOI 10.1002/pssa.200461599 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q2 OpenAlex 86.1%
  16. 2005 Polarized photoreflectance spectroscopy of strained A plane GaN films on R plane sapphire Journal of Applied Physics DOI 10.1063/1.1968424 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q1 OpenAlex üst %10 OpenAlex 96.1%
  17. 2004 Growth of thick 1120 GaN using a metal interlayer Applied Physics Letters DOI 10.1063/1.1818736 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q1 OpenAlex 68.9%
  18. 2004 Microstructural evolution of a plane GaN grown on a plane SiC by metalorganic chemical vapor deposition Applied Physics Letters DOI 10.1063/1.1650545 YÖKSİS SJR Q1 JCR Q1 OpenAlex üst %10 OpenAlex 97.8%

← Akademisyenlere dön