Makale detayı · 2005 · article
The investigation of mole fraction dependence of mobility for InxGa1 xN alloy
ISSN1369-8001
YÖKSİS
OpenAlex
Yıl2005
Atıf10OpenAlex
Yüzdelik%56,1
FWCI0,261,00 = dünya ortalaması
Scopus (SJR)Q2
WoS (JCR)Q2
Veri kaynağı ayrımı
- YÖKSİSYÖKSİS makale kaydı
- YÖKSİS dergi adıMATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING
- Katalog eşleşmesi (ISSN)Materials Science in Semiconductor Processing
- OpenAlexOpenAlex zenginleştirmesi (özet, atıf, konular)
Özet
Özet henüz derlenmedi; DergiPark / OpenAlex kuyruğu işlenince burada görünecek.
Konular
Atıflar
OpenAlex cited_by_count. WoS veya Scopus atıf sayısı değildir; o kaynaklar için ayrı kolon yoktur.
10atıfOpenAlex · cited_by_count (önbellek / veritabanı)
Yerel katalogda bu makaleye atıf yapan 10 yayın (OpenAlex referans eşleşmesi; tam dünya listesi değildir).
- 2009 Anomalous temperature dependence of the electrical resistivity in In0 17Ga0 83NAtıf 13 · OpenAlex
- 2009 Anomalous temperature dependence of the electrical resistivity in In0 17Ga0 83NAtıf 13 · OpenAlex
- 2009 Structural, electrical and optical characterization of InGaN layers grown by MOVPEAtıf 11 · OpenAlex
- 2010 Determination of the critical indium composition corresponding to the metal insulator transition in InxGa1 xN 0 06 x 0 135 layersAtıf 4 · OpenAlex
- 2010 Determination of the critical indium composition corresponding to the metal insulator transition in InxGa1 xN 0 06 x 0 135 layersAtıf 4 · OpenAlex
- 2010 Determination of the critical indium composition corresponding to the metal insulator transition in InxGa1 xN 0 06 x 0 135 layersAtıf 4 · OpenAlex
- 2016 Power Loss Mechanisms in Indium Rich InGaN SamplesAtıf 1 · OpenAlex
- 2015 Power Loss Mechanisms in Indium-Rich InGaN SamplesAtıf 1 · OpenAlex
- 2012 Theoretical calculation of the Hall mobility of InNxAs1 x alloys when x 0 0 0 1Atıf 0 · OpenAlex
- 2011 Theoretical calculation of the Hall mobility of InN x As1 − x alloys when x = 0.0–0.1Atıf 0 · OpenAlex