Makale detayı · 2006
Electron mobility in a modulation doped AlGaN GaN quantum well
The European Physical Journal B
YÖKSİS
OpenAlex
SJR Q1
JCR Q2
Atıf 5
Yüzdelik 67.5%
FWCI 0.57
- Yıl
- 2006
- ISSN
1434-6028- Tür
- article
Veri kaynağı ayrımı
- YÖKSİS YÖKSİS makale kaydı
- OpenAlex OpenAlex zenginleştirmesi (özet, atıf, konular)
Özet
Bu makale için OpenAlex özet kaydı henüz yok.
Konular
- GaN-based semiconductor devices and materials
- Semiconductor Quantum Structures and Devices
- Ga2O3 and related materials
Birincil konu GaN-based semiconductor devices and materials